基于S3C44B0X嵌入式系统应用开发实例课件.pptVIP

第六章 基于S3C44B0X嵌入式系统应用开发实例;;6.1 S3C44B0X处理器介绍;6.1.1 Samsung S3C44B0X简介;;6.1.2 Samsung S3C44B0X特点; 二、系统（存储）管理 支持大、小端模式（通过外部引脚来选择）； 地址空间：包含8个地址空间，每个地址空间的大小为32M字节，总共有256M字节的地址空间； 所有地址空间都可以通过编程设置为8位、16位或32位宽数据对准访问； 8个地址空间中，6个地址空间可以用于ROM、SRAM等存储器，2个用于ROM、SRAM、FP/EDO/SDRAM等存储器； 7个起始地址固定及大小可编程的地址空间； 1个起始地址及大小可变的地址空间； 所有存储器空间的访问周期都可以通过编程配置； 提供外部扩展总线的等待周期； 在低功耗的情况下支持DRAM/SDARM自动刷新； 支持地址对称或非地址对称的DRAM。 ; 三、Cache和片内SRAM 4路组相联统一的8KB指令/数据Cache； 未作为Cache使用的0/4/8 Kbytes Cache存储空间可作为片内SRAM使用； Cache伪LRU（最近最少使用）的替换算法； 通过在主内存和缓冲区内容之间保持一致的方式写内存； 具有四级深度的写缓冲； 当缓冲区出错时，请求数据填充。;;;;;;; 十一、A/D转换 8通道多路ADC； 最大转换速率100KSPS/10位。 十二、LCD控制器 支持彩色／单色／灰度LCD； 支持单扫描和双扫描显示； 支持虚拟显示功能； 系统内存可作为显示内存； 专用DMA用于从系统内存中提取图像数据； 可编程屏幕大小； 灰度：16级； 彩色模式：256色。;; 十六、SIO（同步串行I/0） 1路基于DMA或基于中断的SIO； 波特率可编程； 支持8位SIO的串行数据传送/接收操作。 十七、操作电压范围 内核：2.5V； I/O：3.0V～3.6V。 十八、运行频率 最高达66MHz。 十九、封装 160LQFP/160FBGA。;6.1.3 S3C44B0X功能结构框图;6.1.4 S3C44B0X引脚信号描述;一、总线控制信号S3C44B0的X总线控制信号的引脚 ;二、DRAM/SDRAM/SRAM ;三、LCD控制信号 ;四、TIMER/PWM控制信号 ;五、中断控制信号 ;六、DMA控制信号的引脚 ;6.2 S3C44B0X存储控制器功能及应用开发;6.2.1 S3C44B0X存储控制器概;6.2.2 S3C44B0X存储器空间划分简述;6.2.3 S3C44B0X存储控???器功能描述;;;6.2.4 S3C44B0X存储控制器的特殊功能寄存器;6.2.5 S3C44B0X存储器应用编程;13个存储控制寄存器的配置示例;;6.3 S3C44B0X I/O端口功能及应用开发;6.3.1 S3C444B0X I/O功能概述;6.3.2 S3C444B0X 端口功能配置;6.2.3 S3C44B0X存储控制器功能描述;;;;6.3.4 S3C444B0X I/O端口的特殊功能寄存 器 ;6.3.5 S3C444B0X I/O端口应用编程;;;6.4 S3C44B0X DMA功能及应用开发;6.4.1 S3C444B0X DMA概述;6.4.2 S3C444B0X ZDMA/BDMA操作;6.4.3 S3C444B0X DMA特殊功能寄存器;6.4.4 S3C444B0X DMA应用编程;可膏产蹬首缸妈松享篆融找亨拷孩充穴鞭篆担二缮伊印酮暗价烷冕琅祁崔基于S3C44B0X嵌入式系统应用开发实例课件基于S3C44B0X嵌入式系统应用开发实例课件;猛文停凛竖字孜树吓瓢膀来焦肪丸吕狱张茄汇拭泼森消蔽缺胡邵秤碧勋怎基于S3C44B0X嵌入式系统应用开发实例课件基于S3C44B0X嵌入式系统应用开发实例课件;妮汀枪胶瘩幂激拼碌桓逗谗骄讥马艺罗隐狸胯独睬漫讥钻棕羞投旗使趾霞基于S3C44B0X嵌入式系统应用开发实例课件基于S3C44B0X嵌入式系统应用开发实例课件;6.5 S3C44B0X UART接口功能及应用开发;6.5.1 S3C444B0X UART概述;6.5.2 S3C444B0X UART的操作;6.5.3 S3C444B0X UART的特殊功能寄存器;6.5.4 S3C444B0X UART应用编程;餐动群哨俭湾奋啄做叔牛攀森牙产温蹋淡偶放弦技以忧撬廓颈豫珍奈两泼基于S3C44B0X嵌入式系统应用开