光电检测辐射度与光度量2012课件.pptVIP

第一节 光辐射度量与光度量第;光辐射：通常把对应于真空中的波;体努亡忧兵班过惕撑泻艺兼掐摔泵;★另一类是生理的，叫作光度学量;1、辐射能Qe：辐射能是一种以;?3、辐射通量Φe：又称辐射功;5、辐射亮度 Le：由辐射表面;6、辐射出射度Me：辐射体在单;★辐射照度和辐射出射度的单位相;光谱辐射度量：光谱辐射度量也叫;1、光谱辐射通量Φλ ：光源发;3、光谱辐射强度Iλ ：光源发;4、光谱辐射亮度Lλ ：光源发;1、关于辐射度量，正确的是（ ;在任何条件下，完全吸收任何波长;★由于大部分光源是作为照明用的;光度量只在光谱的可见波段(38;光度量中最基本的单位是发光强度;人眼对各种波长的光的感光灵敏度;1、光通量Φ ：光辐射通量对人;2、发光强度I：光源在给定方向;4、光照度E：被照明物体给定点;☆用点光源照明时，被照面的照度;佩喀模盎沫搜嘴谢疫爵包刻瘴铬硫;?如果被照面不垂直于光线方向，;5、光亮度L：光源表面一点处的;1、关于光度量，正确的是（ ;2、国际单位制中7个基本单位有;明视觉：锥状细胞只对亮度超过1;对于明视觉，刺激程度平衡条件为;对于暗视觉，刺激程度平衡条件为;一、填空题：1、通常把对应于真;二、简答题：1、辐射度量与光度;四、计算题：已知某激光器的输出;物体按导电能力分：导体、绝缘体;? 半导体的电阻温度系数一般是;★能级：在孤立原子中，原子核外;★“轨道”：电子出现几率最高的;★能带：晶体中大量的原子集合在;★禁带：晶体中允许被电子占据的;允许带（导带）允许带（价带）允;★导带的底能级表示为Ec（或E;导体或半导体的导电作用是通过带;?半导体两端加电压后:★如果价;★如果价带中的电子在外界作用下;★由于导带中存在大量的空能级，;?价电子的运动状态发生变化,使;1、关于能带理论，正确的是（）;3、关于物体导电能力，正确的是;单晶——在一块材料中，原子全部;? 完全纯净和结构完整的半导体;?晶体总是含有缺陷和杂质的，而;N型半导体 在晶格中掺入;P型半导体 晶体中某个硅原;N型半导体与P型半导体的比较半;(a)本征半导体(b)N型半导;在一定温度下，若没有其他的外界;★根据量子理论和泡利不相容原理;费米-狄拉克函数曲线当E=EF;★若(E－EF) kT时 ;一般，费米能级在禁带中， (E;对于一种确定的半导体，不管它是;a) 重掺杂P型 ?;半导体的费米能级图如下图所示，;半导体在外界条件有变化（如受光;★电注入：通过半导体界面把载流;光注入分为强光注入与弱光注入：;对于弱光注入?????????;使非平衡载流子浓度增加的运动称;在光照过程中，产生与复合同时存;非平衡载流子寿命τ（1）非平衡;通过复合中心复合：复合中心指禁;当没有外加电场时，电子作无规则;载流子因浓度不均匀而发生的从浓;载流子在外电场作用下，电子向正;在N型半导体中，漂移所引起的电;迁移率表示载流子在单位电场作用;在漂移运动中，因电子与晶格碰撞;在电场作用下，任何载流子都要作;由于光子的作用使电子由价带跃迁;产生本征吸收的条件：入射光子的;杂质能级上的电子（或空穴）吸收;导带内的电子或价带内的空穴也能;半导体原子能吸收能量较低的光子;半导体的电学性质很大程度上取决;在无外电场或其它因素激发时PN;PN结加正向电压的情况工作原理;PN结加反向电压的情况工作原理;将禁带宽度不同的两种半导体材料;一、填空题：1、价电子的运动状;二、选择题 关于非平衡载流;三、简???题： 1、掺杂对;当光照射到物体上使物体发射电子;外光电效应——物体受到光照后向;一、光电导效应：光照变化引起半;1、光电导体的灵敏度 ;光电导材料从光照开始到获得稳定;二、光生伏特效应：简称为光伏效;⑴热平衡态下的P-N结 ;N型、P型半导体单独存在时，E;⑵光照下的P-N结 当P-;3、光磁电效应 如果将均;4、光子牵引效应 当光子;三、光电发射效应：光敏物质吸收;也称爱因斯坦定律。发射出光电子;在入射光线频谱范围内，光电阴极;一、概念题：1、光电效应2、光;三、计算题 1、某种光电材;3、本征半导体材料Ge在297