IP NI工艺 0620.ppt

* * IP Ni 工藝 由永保化工（香港）有限公司提供2005/06 RAM-CHEM ? IP Ni 電鍍工藝 A. IP Ni 簡介 B. IP Ni 藥水之常規管控 C. 自動控制系統 D. IP Ni 藥水之日常檢查表 RAM-CHEM ? A. IP Ni 簡介 RAM-CHEM ? A. IP Ni 簡介 IP Ni電鍍流程 是專門用作電子應用上提供一特殊阻 擋鍍層，其首要作用是用應於無鉛純錫制程工藝上，更 有效地擁有卓越的耐變色效果和焊接性，並能附合半導 體封裝的國際標准 MIL-STD-883C，Methods 2003.5 and 2022.2. 此藥水的化學特性是易於使用，控制和維護。 RAM-CHEM ? B. IP Ni 藥水之常規管控 RAM-CHEM ? B. IP Ni 藥水之常規管控 RAM-CHEM ? 1. IP Ni 化學成份及控制參數范圍 2. 分析方法 3. 補充方法及維護條件 4. 常見故障與對策 B-1. IP Ni 化學成份及控制參數范圍 0.021 μm/min 沉積速率於8ASD 2:1-5:1 3:1 　 陽陰極比 25-45 Be 比重 2-3 2.5 　 PH 55-65 60 ℃ 溫度 6-15 8 ASD 電流密度 5-15 10 ml/L 特加補充劑 SR 2-15 5 ml/L 添加劑 AD 35-45 40 g/L 硼酸 10-15 12.5 g/L 氯化鎳 75-85 80 g/L 金屬鎳 范圍 標准 單位 成份 RAM-CHEM ? B-2. 分析方法 每周/每月一次 　HPLC 特加補充劑 SR 常規滴定方法　 添加劑 AD 比重 PH 硼酸 氯化鎳 視客戶需求（建議3天/次） 傳統之分析方法 金屬鎳 分析頻率 分析方法 成份 RAM-CHEM ? B-3. 補充方法及維護條件 以1000AH補充量計算 1.5 L Ram Tech Nicka IP 補充劑 R-2 視客戶實際使用情況而有所調整 1 L Ram Tech Nicka IP 補充劑 R-1 備註 補充量 單位 化學品成份 RAM-CHEM ? B-4. 常見故障與對策 1.針孔 2.高電位發蒙、白霧 3.高電位燒焦 4. 低電流區暗黑，色澤黑 5.低電流區白霧 6.高電流區脆性大 7.低電流區漏鍍 8. 結合力不良 RAM-CHEM ? 調節鍍液於控制 Ni 范圍 分析鍍液中Ni 含量 Ni 含量較高 調節鍍液於控制 PH 范圍 分析鍍液PH PH 值太低 加強過濾 檢查過濾是否遇塞或過濾泵壞了 鍍液中有懸浮雜質 改善素材品質 檢查素材來料是否多孔 素材本身多孔 檢查並糾正前處理 檢查前處理工序 前處理不當 降低電流密度於工藝范圍 計算工件面積，調整電流 電流密度使用較大 糾正方案 探查原因 原因 常見故障與對策 – 1.針孔 RAM-CHEM ? 調節鍍液於控制溫度范圍 檢查鍍液溫度 鍍液溫度較高 用Hull Cell 測試，並以2ml/L之添加測定 補充所需之IP 分析IP 濃度 IP 含量較低 調節鍍液於控制 PH 范圍 檢查鍍液中PH PH 值過高 調節鍍液於控制硼酸范圍 分析鍍液中硼酸含量 硼酸含量低 調節鍍液於控制氯化鎳范圍 分析鍍液中氯化鎳含量 氯化鎳含量低 糾正方案 探查原因 原因 常見故障與對策 – 2.高電位發蒙、白霧 RAM-CHEM ? 調節鍍液於控制溫度范圍 檢查鍍液溫度 鍍液溫度過低 補充所需之 Ni 分析鍍液中 Ni 含量 Ni 含量太低 調節鍍液於控制 PH 范圍 檢查鍍液中PH PH 值過高 補充所需之硼酸 分析鍍液中硼酸含量 硼酸含量太低 降低電流密度於工藝范圍 計算工件面積，調整電流 電流密度使用過大 糾正方案 探查原因 原因 常見故障與對策 – 3.高電位燒 RAM-CHEM ? 增加弱電解處理 試作HC測試 雜質金屬污染 補充所需之氯化鎳 分析鍍液中氯化鎳含量 氯化鎳含量低 升高電流密度於工藝范圍 計算工件面積，調整電流 電流密度使用較小 補充所需之 Ni 分析鍍液中 Ni 含量 Ni 含量過低 調節鍍液於控制 PH 范圍 檢查鍍液溫度 PH 值過低 用Hull Cell 測試，並以2ml/L之添加測定 補充所需之IP 分析IP 濃度 IP 含量過低 增加弱電解處理 試作HC測試 有機污染 糾正方案 探查原因 原因 常見故障與對策 – 4.低電流區暗黑，色澤黑 RAM-CHEM ? 用Hull Cell 測試，並以2ml/L之添加測定 補充所需之IP IP 含量過低 分析IP 濃度 糾正方案 探查原因 原因 常見故障與對策 – 5.低電流區白霧 RAM-CHEM ? 調節鍍液於控制氯化鎳范圍 分析鍍液中氯化鎳含量