超薄层SOI高压LVDLDMOS耐压模型及特性研究-微电子学.PDF

第 卷第 期 微 电 子 学 , 45 6 Vol.45 No.6 年 月 2015 12 Microelectronics Dec.2015 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 超薄层SOI高压LVDLDMOS耐压模型及特性研究 , , , , , 王 卓 周 锌 陈 钢 杨 文 庄 翔 张 波 ( , ) 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054 : ( , ) , 摘 要 针对超薄层高压 线性变掺杂 器件 进行了耐 SOI LinearVariedDoin LVDLDMOS p g 。 , , 压模型和特性的研究 通过解泊松方程 得到超薄高压 的 判据 有助 SOILVDLDMOS RESURF 。 、 , 于器件耐压和比导通电阻的设计与优化 通过对漂移区长度 厚度和剂量 以及 型缓冲层仿真优 n , 。 , 化 使器件耐压与比导通电阻的矛盾关系得到良好的改善 实验表明 超薄层高压 SOILVD , · 2, / 。 LDMOS的耐压达到 644V 比导通电阻为24.1Ω mm 击穿时埋氧层电场超过 200V cm : ; ; ; ; 关键词 超薄 层 线性变掺杂 高压 耐压模型 SOI LDMOS RESURF 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN386 A 1004-3365201506-0812-05 InvestiationonBreakdownModelandCharacteristicsforUltra-Thin g LaerHihVoltaeSOILVDLDMOS y g g , , , ,