场效晶体管优点.PPT

◆问题预设 ◆要点点拔 (3)MOSFET 和三极管的比较 * * * ◆知识回顾 1、三极管的主要参数有哪些？ 2、如何检测三极管的管型和管脚以及质量的好坏？ 3、总结有关三极管的三种典型题。 1、场效晶体管是一种什么性质的器件？ 与三极管相比它有怎样的优点？ 2、场效晶体管根据结构和工作原理可 分哪两类？ 3、结型场效晶体管的分类及相应符号如何？ 4、绝缘栅型场效晶体管的分类及相应符号 如何？ 5、MOSFET与三极管的区别如何？ 半导体三极管是利用输入电流控制输出电流的半导体器件，称为电流控制型器件。 场效晶体管是利用输入电压产生电场效应来控制 输出电流的器件，称为电压控制型器件。 一、场效晶体管性质： 二、场效晶体管优点： 输入电阻高、制造工艺简单、功耗低、适合大规模集成。 三、场效晶体管的分类 根据结构和工作原理不同，分为 　　结型 （JFET） 　　绝缘栅型 （MOSFET） 1、结型场效晶体管 ⑴、分类：分为 P 沟道和 N 沟道两种 ⑵、符号： 漏极（D），源极（S）和栅极（G），D 和 S 可交换使用 ⑶、电压放大作用 场效晶体管共源极电路中，漏极电流受栅源电压控制。 　　场效晶体管是电压控制器件，具有电压放大作用。 2、绝缘栅型场效晶体管 栅极与漏、源极完全绝缘的场效晶体管，称绝缘栅场效晶体管（MOSFET）。 ⑴、电路符号和分类 　　N 沟道增强型 　　P 沟道增强型 　　N 沟道耗尽型 　　P 沟道耗尽型 ① N 沟道—箭头指向内。沟道用虚线为增强型， 用实线为耗尽型，N 沟道称 NMOS 管。 ② P 沟道—箭头指向外。沟道用虚线为增强型， 用实线为耗尽型，P 沟道称 PMOS 管。 以 N 沟道增强型 MOSFET 为例 (2)结构： ① N 型区引出两个电极：漏极（D）、源极（S）。 ② 在源区和漏区之间的衬底表面覆盖一层很薄的绝缘层，再在绝缘层上覆盖一层金属薄层，形成栅极（G）。 ③ 从衬底基片上引出一个电极，称为衬底电极。 ①．MOSFET 温度稳定性好。 ②．MOSFET 输入电阻极高，因此，MOSFET 放大级对前级的放大能力影响极小。 ③．MOSFET 存放时，应使栅极与源极短接， 避免栅极悬空。 ④．MOSFET 的源极和漏极可以互换使用。 *