数电(常丹华版)答案第6章习题全解课件.ppt

第6章 半导体存储器与可编程逻辑器件;题6.1 试说明ROM和RAM的区别，它们各适用于什么场合？ 题6.2 试说明PROM种类，以及擦除和写入方法。 题6.3 试说明SRAM和DRAM存储原理有何不同？ 题6.4 一块ROM芯片有10条地址线，8条数据线，试计算其存储容量是多少？ 题6.5 某计算机具有16位宽度的地址总线和8位宽度的数据总线，试计算其可访问的最大存储器容量是多少？如果计算机已安装的存储器容量超过此数值，会怎样？ 题6.6 试用512×4的RAM芯片构成512?8的存储器。 题6.7 试用256×4的RAM芯片构成1024?4的存储器。需要一个怎样规格的二进制译码器？ 题6.8 试说明Flash ROM有何特点和用途，与其他存储器比较有什么不同？ 题6.9 试说明CPLD和FPGA各代表什么，其可编程原理各是什么？ 题6.10 试用VHDL语言设计六进制加法计数器。;题6.1 试说明ROM和RAM的区别，它们各适用于什么场合？ 答：ROM断电后数据仍能保留，而RAM内数据会丢失；ROM主要适合要求数据永久存储的场合，而RAM适合临时存储数据。 题6.2 试说明PROM种类，以及擦除和写入方法。 答：PROM主要包括OTPROM、UVEPROM、EEPROM；紫外线擦除、FN隧道穿越擦除和写入（隧道注入），以及热电子注入写入（雪崩注入）。 题6.3 试说明SRAM和DRAM存储原理有何不同？ 答： SRAM利用触发器电路存储数据，能长期自行存储数据；而DRAM利用电容效应存储数据，由于电容的漏电特性，DRAM本身不能长期保存数据，需要控制电路配合使用。 题6.4 一块ROM芯片有10条地址线，8条数据线，试计算其存储容量是多少？ 答：210?8比特=8K比特=1K字节。;题6.5 某计算机具有16位宽度的地址总线和8位宽度的数据总线，试计算其可访问的最大存储器容量是多少？如计算机已安装存储器容量超过此数值，会怎样？ 答： 216?8比特。如果超出此数值，超出部分计算机不能直接访问（使用）。 题6.6 试用512×4的RAM芯片构成512?8的存储器。;题6.7 试用256×4的RAM芯片构成1024?4的存储器。需要一个怎样规格的二进制译码器？;题6.8 试说明Flash ROM有何特点和用途，与其他存储器比较有什么不同？ 答：Flash ROM集成度高、成本低，适合便携设备长期存储数据。Flash ROM属于ROM，断电数据不丢失，集成度比EEPROM更高、容量更大、价格更低，擦除速度快。 题6.9 试说明CPLD和FPGA各代表什么，其可编程原理各是什么？ 答：CPLD是复杂可编程逻辑器件的简写，FPGA是现场可编程门阵列的简写；CPLD基于乘积项编程原理，而FPGA则是基于查找表的编程原理。 题6.10 试用VHDL语言设计六进制加法计数器。 （补充：增加异步清零、同步置数和保持功能，并且带进位输出） ENTITY mycounter6 IS PORT( --实体定义部分 clk, RDn, LDn, EP: IN Bit; --定义时钟、清零、置数和保持输入端 DataIn: IN integer range 0 to 5; --定义数据输入端 c: OUT Bit; --定义进位输出端 qc: OUT Integer range 0 to 5); --定义状态输出端 END mycounter6;;--结构体定义部分 ARCHITECTURE a OF mycounter6 IS BEGIN PROCESS (clk, RDn) Variable cnt : Integer range 0 to 5; --定义变量，更灵活 Variable co : Bit; BEGIN IF (RDn=‘0’) THEN cnt:= 0; co:=‘0’; --异步清零，低电平有效 ELSIF (clk‘EVENT AND clk = ’1‘) THEN --上升沿有效 IF (LDn=‘0’) THEN cnt:=DataIn; --同步置数 ELSIF ( EP/=‘0’) THEN --状态保持 IF cnt5 THEN cnt:=cnt+1; ELSE cnt :=0 ; END IF; --计数 IF cnt=5