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2017-08-14 发布于重庆
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8FET基本电路实验报告orCAD

实验报告实验名称____FET基本单路 _____课程名称__电子电路计算机辅助分析_院系部:电气与电子工程学院专业班级：电子1301学生姓名：韩辉学号:1131230106同组人:实验台号:指导教师：高雪莲成绩：实验日期:华北电力大学一、实验原理BJT电路与JFET电路对比：BJT电路Ic＝βIBIc＝IEVbe，th＝0.7v输入特性曲线Vbe－Ib，使Vbb变化，Vcc不变或在二次扫描中变化。输出特性曲线Vce-Ic，使Vcc变化，Vbb不变或在二次扫描中变化。转移特性曲线Vi－Vo。JFET电路ID=ISIG=0A转移特性曲线Vgs－ID，Vgg变化，Vdd不变或在二次扫描中变化。输出特性曲线Vds－ID，Vdd变化，Vgg不变或在二次扫描中变化。常用FET器件型号：N：E－mosFET：IRF150等D－mosFET：BSS139\149等(BSS129有问题）P：E－mosFET：M2N6851等JFET：J2N3970等常用FET偏置电路常用的FET偏置电路如下图1、2、3、4所示：图1常用FET偏置电路1图2常用FET偏置电路2图3常用FET偏置电路3图4常用FET偏置电路44、静态工作点的求解方法：①估算法②Bias piont分析③图解法二、实验结果1、固定偏置放大电路固定偏置放大电路的实验电路图如图8.1.1所示：图8.1.1 固定偏置放大电路电路图（1）估算法（2）Bias point分析法利用Bias point 方法分析得到的实验结果如图8.1.2所示，其中红色的表示该结点处的电流值，紫色表示该结点处的电压值。图8.1.2 Bias point法实验结果分析图8.1.2可知：VDSQ=1.857v，IDQ=8.452mA。（3）图解法图解法分析电路的实验结果如下图8.1.3和8.1.4所示：图8.1.3 图解法分析电路的实验结果分析图8.1.3可得：当电源电压Vdd的电压值等于12V时，Id的值为8.4587mA。图8.1.4 图解法分析电路的实验结果分析图8.1.4可得：当电源电压Vdd的电压值等于12V时，VDSQ的值为1.8574v。2、共栅放大电路共栅放大电路的实验电路图如图8.2.1所示：图8.2.1 共栅放大电路电路图（1）Bias point分析法利用Bias point 方法分析得到的实验结果如图8.2.2所示，其中红色的表示该结点处的电流值，紫色表示该结点处的电压值。图8.2.2 Bias point分析法实验结果分析图8.2.2可知：VGSQ=-1.523V，IDQ=3.905mA，VDS=7.887V，VS=1.523V。（2）图解法图解法分析电路的实验结果如下图8.2.3到8.2.5所示：图8.2.3图解法分析电路的实验结果分析图8.2.3可得：当电源电压Vdd的电压值等于18V时，Id的值为3.90mA。图8.2.4图解法分析电路的实验结果分析图8.2.4可得：当电源电压Vdd的电压值等于18V时，Vds的值为7.85V。图8.2.5图解法分析电路的实验结果分析图8.2.5可得：当电源电压Vdd的电压值等于18V时，Vs的值为1.52V。3、分压式偏置放大电路分压式偏置放大电路的实验电路图如图8.3.1所示：图8.3.1 共栅放大电路电路图（1）Bias point分析法利用Bias point 方法分析得到的实验结果如图8.3.2所示，其中红色的表示该结点处的电流值，紫色表示该结点处的电压值。图8.3.2 Bias point分析法实验结果分析图8.3.2可知：VGSQ=1.778v，IDQ=53.65uA，VDS=23.88v，VS=40.24mv。（2）图解法图解法分析电路的实验结果如下图8.3.3到8.3.6所示：图8.3.3图解法分析电路的实验结果分析图8.3.3可得：当电源电压Vcc的电压值等于24V时，Vgs的值为1.7375V图8.3.4图解法分析电路的实验结果分析图8.3.4可得：当电源电压Vcc的电压值等于24V时，Id的值为53.6uA。图8.3.5图解法分析电路的实验结果分析图8.3.5可得：当电源电压Vcc的电压值等于24V时，Vs的值为40.24mV。