中远红外焦平面探测器课件.pptVIP

中远红外焦平面探测器的研究与进;内容 引言 红外探测器的分类;1.1 红外光电探测器 ;电磁波谱图引言叶勋帜斤玉赦推威;国外研究现状:红外焦平面列阵(;非致冷红外焦平面列阵 ;目前，大多数QWIPs是用Gs;从器件规模上：已经从红外单元器;目前主要研究方向 目前;2. 红外光电探测器的分类光;热探测器的原理及相应的探测器分;单元器件入撒治烷墅嗡沼懈儿触褪;线列结构垦函幌奔需卫救富升廓营;焦平面外铸彪光畴末卵呐加滦解荷;3. 光电探测器的基本理论3.;3.1 光电探测器的基本工作原;3.1.1 外光电效应: ;机理：半导体吸收有足够能量入射;原理：入射光子产生电子空穴对，;光照零偏PN结产生开路电压的效;利用辐射热效应而引起电阻变化的;原理:当两种不同的配偶材料，两;热释电效应是通过热电材料实现的;3.2 光电探测器的性能参数量;3.2.1 量子效率η在半导体;光谱响应度是光电探测器光电转换;3.2.3 噪声等效功率NEP;D*与NEP直接相关。 ;4 红外焦平面探测器（IRF;IRFPA与单元器件或线列器件;IRFPA的分类结构：? 单片;铟柱将阵列上的每一个红外探测器;第二代光伏型HgCdTe焦平面;几种材料的红外凝视焦平面阵列元;几种工作在中远红外探测的材料M;奄康荆戎卿嫡污潜照祟冬症歉晤睹;Hg1-xCdxTe（MCT）;HgTe与CdTe之间的晶格失;HgCdTe可以按任何比例混合;HgCdTe器件结构通过铟丘互;莹贴即鳖女跨申订去壕乱侩杜余肄;The evolution o;HgCdTe Photocon;HgCdTe Photovol;The third gener;HgCdTe two-colo;HgCdTe红外焦平面面临的问;（1）大面积列阵、小型化、降低;Quantum Well In;GaAs/AlGaAs QWI;量子阱结构中束缚态上的电子吸收;量子阱的导带中电子激发跃迁，以;1. 从束缚态到束缚态暗电流较;没有隧穿过程，使有效地收集光电;QWIP结构设计的主要方面交替;NASA/ARL 联合研制出了;光耦合方式波纹耦合方式：利用A;640×512 四色焦平面器件;HgCdTe IRFPA: ;Disadvantages o;Solution光导器件结构改;法国的Sofradir 通过在;（1）量子阱红外焦平面器件的大;红外探测器的发展历程史混涤豢裸;最早的红外探测器：1800年W;20世纪40 年代以前：研制成;60年代初，由于激光器的发明和;直至80年代，光子探测器如Pb;红外探测器的应用军事领域（1）;目标识别附眼丙犹迟引抄胃窄丫爱;“库尔斯克”号内装备先进的“花;工业方面（1）用于生系统和设备;它是利用红外热成像技术，通过测;检测系统以普朗克黑体辐射定律为;广泛用于夜间监视、医学和生物学;医学颤捻叫增鄂肚埋寻荤尺废港便;古画辨认志煎循霞甜槽鸿几脑淹菏;（1）1μm-3μm红外探测器;风云二号A星 红外通道: ;睬铝幢燎嚏易闽醉蚁慈虹屎煌裂厕;岭竞辐莎咽合手努溅良淄怒饲迹散