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同步辐射的基本知识 第六讲 同步辐射中的光刻、微加工和其他技术及其应用 　 １ ２ ２ 杨传铮 ，程国峰 ，黄月鸿 （ 中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 ； 中国科学院上海硅酸盐研究所，上海 ） １． ２０００５０ ２． ２０００５０ 犅犪狊犻犮犓狀狅狑犾犲犱犲狅犳犛狀犮犺狉狅狋狉狅狀犚犪犱犻犪狋犻狅狀 犵 狔 ——— ， 犔犲犮狋狌狉犲犖狅．６ 犔犻狋犺狅狉犪犺 犕犻犮狉狅犿犪犮犺犻狀犻狀 犪狀犱犗狋犺犲狉犜犲犮犺狀狅犾狅犻犲狊 　 犵 狆狔 犵 犵 犪狀犱犜犺犲犻狉犃 犾犻犮犪狋犻狅狀狊犻狀犛狀犮犺狉狅狋狉狅狀犚犪犱犻犪狋犻狅狀 狆狆 狔 １ ２ ２ ， ， 犢犃犖犌犆犺狌犪狀狕犺犲狀 犆犎犈犖犌犌狌狅犳犲狀 犎犝犃犖犌犢狌犲犺狅狀 犵 犵 犵 （ ， ， ， ； １．ＳｈａｎｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭｉｃｒｏｓｓｔｅｍａｎｄＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＴｅｃｈｎｏｌｏ ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍ ｏｆＳｃｉｅｎｃｅＳｈａｎｈａｉ２０００５０ Ｃｈｉｎａ ｇ ｙ ｇｙ ｙ ｇ ， ， ， ） ２．ＳｈａｎｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＣｅｒａｍｉｃｓＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍ ｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓＳｈａｎｈａｉ２０００５０ Ｃｈｉｎａ ｇ ｙ ｇ 中图分类号： 文献标志码： 文章编号： （ ） Ｏ４３４．１１ Ａ １００１４０１２２０１００１００６７０７ 　　　 　　　 传统的集成电路（ ）和超大规模硅集成电路 到 ，设计规则将进入 。为了满足上 ＩＣ １６Ｇｂｉｔｓ １００ｎｍ 　　 （ ）的制作是基于微电子电路版图设计和芯片 述要求，光刻技术主要有光学投影光刻、 射线光 ＶＬＳＩＣ Ｘ 的微加工工艺。微加工工艺包括掩模制作、薄膜工 刻、电子束光刻和离子束光刻。电子束光刻目前主 艺、涂胶、曝光、刻蚀、外延以及杂质扩散等。 要应用于制作光刻掩膜，在ＶＬＳＩＣ中用电子束直接 典型的双极型集成电路工艺中共经过六次（阴