离子注入技术现状与发展趋势 the technology status and development trend of ion implantation.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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离子注入技术现状与发展趋势 the technology status and development trend of ion implantation

2 田团=竺三三竺!!? ·趋势与展望· 离子注入技术现状与发展趋势本刊编辑部摘要：离子注入制程已成为器件设计的最前端工作．现在更被视为实现32nlTl和22nnl晶体管制程的推动要素。器件漏电流、浅结面制作，器件尺寸缩小，以及急速增加成本的挑战，正在限制摩尔定律的延伸。针对32nlTl节点离子注入制程器件的工艺要求。介绍了离子注入设备的发展方向。关键词：32 nnl节点器件；漏电流控制；超浅结注入；大束流低能注入；单晶片注入；机械扫描中图分类号：TN305．3 文献标识码：A The and Technology．Status Development TrendofIon Implantation Editorial0tiiceofEPE ion hasbecomea of noweven Abstract：The front·endworkdevice implantationprocess design，and beenviewedastherealizationof32～22nanometertransistor drivenelement．Thedevice process drain devicedimensionswellasthe of current，shallow shrink，as junctionimplantation，the challenges the increasein extensionofMoore’SLaw．Thisdescribesthedirectionof rapid COSTS，arelimiting paper ofion inconnectionwiththe32nln deviceion developmentimplantationequipment node implantation processtechnologicalrequirements． nnl Current Node Junction Keywords：32Devices；DrainControl；Ultra-ShallowImplantation；Large beam low·-energyImplantation；Single··ChipImplantation；MechanicalScanning 离子注入是现代集成电路制造中的一种非常能量和掺杂剂量。杂质种类是指选择何种原子注入重要的技术，它是利用离子注入机将特定的杂质原硅基体，一般杂质种类可以分为N型和P型两类，子以离子加速的方式注入硅半导体晶体内改变其 N型主要包括磷，砷，锑等，而P型则