CMP过程磨粒压入芯片表面深度的影响因素分析-中国机械工程.PDF

过程磨粒压入芯片表面深度的影响因素分析———蒋建忠 袁晓林 赵永武 CMP 暋 暋 CMP过程磨粒压入芯片表面深度的影响因素分析 1 2 1 蒋建忠 袁晓林 赵永武 暋 暋 , , , , 1.江南大学 无锡 214122暋暋2.常州轻工职业技术学院 常州 213004 : / / , 摘要 根据芯片 磨粒 抛光盘三体接触当量梁的弯曲假设 建立了更加准确合理的CMP过程磨粒 。 , 、 、 压入芯片表面深度的理论模型 新模型包含了更加丰富的信息 包括磨粒的直径 磨粒的浓度 磨粒的 、 、 , , 密度 抛光盘的弹性模量 芯片的表面硬度 特别是磨粒的浓度和密度的影响 在前人的模型中往往被忽 。 , , 。 视 最后对理论模型进行了试验验证 结果表明 理论预测规律与试验结果基本一致 : ; ; ; 关键词 机械化学抛光 磨粒 建模 芯片 中图分类号: ; 文章编号: — ( ) — — TG115.5O484.4暋暋暋 1004 132X201115 1783 05 FactorsInfluencin IndentationDethofaParticleintoWaferSurfaceinCMP g p 1 2 1 Jian Jianzhon 暋YuanXiaolin暋ZhaoYonwu g g g , , , 1.JiannanUniversit WuxiJiansu 214122 g y g , , , 2.InstituteofLihtIndustr Technolo Chanzhou Jiansu 213004 g y gy g g : AbstractInaccordancewithh othesisoftheeuivalentbeambendin forathreebod contacta yp q g y 灢 / / , mon adwafer articles amore reciseandreasonablemathematicalmodelabouttheindentation gp p p dethofa articleintowafersurfaceinCMPwasdeveloed.Themodelcom