基于主方程法单电子晶体管的verilog-a行为模型 a verilog-a behavioral model for set based on the master equation method.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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基于主方程法单电子晶体管的verilog-a行为模型 a verilog-a behavioral model for set based on the master equation method.pdf

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基于主方程法单电子晶体管的verilog-a行为模型 a verilog-a behavioral model for set based on the master equation method

第2期子 V01．37 电学报 No．2 2009年2月 ACrAⅡ正CrRONICASINICA Feb．2∞9 基于主方程法单电子晶体管的Verilog．A行为模型卢刚，魏芬芬 (西安理工大学电子工程系，陕西西安710048) 摘要：基于单电子晶体管的主方程算法，在简化lJ眦hnig的单电子晶体管模型基础上，建立了基于Verilog-A de_nce 的单电子晶体管行为描述模型，并利用ca Spec弛仿真器对该模型进行了验证．通过单电子晶体管逻辑电路的设计和仿真，表明该模型具有合理的精确度，且速度快，为单电子晶体管电路及混合电路的仿真提供了一种有效的方法．关键词：单电子晶体管；主方程法；Verilog-A；SET逻辑电路中图分类号：TN32 A 文章编号： 0372．21 文献标识码： 12(2009)02-0342-05 A Behavioralfor Basedon ModelSET theMaster Method Verilog-A Equation LU Fen-fen Gang，WEI (尼’An UmⅫ／tyof死由l如y，崩’an，Shawm710048。‰) Abstract：BasedOilthemaster methodof tramistoranda equatiofl sing]Ie-electron sim#medLientschnig’ssingle-elecaon transistor(SET)model，this behavioralmodelforSET，and paperpre．sentsaVefilog-A verifiedbythetool modelisshowntobe accurateandfastforSET circuitsimulation．ItoffersallefficientraetlKxiforSETcircuitsand reasonably logic ci_rcuitco-simulafiaa． hybrid wDrds： circuit Key single-electron扛ar商s60r；mas6ertxlllatioglme￡}l(d；Verilog-A；SETlogic 了模拟时间，取得了良好的效果 l引言 2 SET的主方程模型：在过去20年中，单电子器件因其能够实现超低功耗以及“极限密度”的可能性，得到了广泛的研究，而单单电子晶体管的基本结构如图1所示，它由两个隧 transistor，SET)作为未来MOS 电子晶体管(Single．electron 道结如和厶串联组成，两个结的连接处叫做岛区0． J．器