半导体物理学概要 - 讲义.pptVIP

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2017-08-10 发布于河南
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半导体物理学概要 - 讲义.ppt

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半导体物理学概要 - 讲义

第-章半导体中的基本性质;Si晶体的金刚石结构半导体的晶;半导体中的基本性质2.2.1 ;半导体的结合性质固体结合的化学;§ 2.2 半导体的结合性质2;薛定谔方程和原子的能级半导体的;第一章半导体中的基本性质;有效质量近似及其意义有效质量概;杂质：在半导体晶体中引入的新的;2. 受主杂质和受主能级1）受;本征半导体和本征费米能级半导;第三章半导体中载流子的统;1. 本征载流子浓度其中Ei是;热平衡时非本征半导体载流;随掺杂浓度在禁带中上下变化随施;是电荷守恒原理的具体表达式1);非本征载流子浓度与温度的关系费;第四章半导体中载流子的运动;§ 4.1 载流子的漂移运动和;半导体中载流子的散射机制晶格散;§ 4.1 载流子的漂移运动和;§ 4.2 载流子的扩散运动1;§ 4.2 载流子的扩散运动3;这是半导体物理的一个重要表达式;非平衡情形的过剩载流子非平衡;载流子的复合(Recombin;仍然考虑间接复合的4个微观过程;准费米能级准平衡态和准费米能;第五章半导体PN结本章将首;5.1.1 PN结的平衡能带图;5.2.1 PN结的偏置及其能;§ 5.3 PN结电容 5.3;电子扩散电容空穴扩散电容总的扩;§ 5.4 PN结的击穿PN结;第六章金属/半导体（M/S;§6.3 肖特基二极管的偏置及;§6.5 异质结6.5.1 异;第七章金属/氧化物/半导体;§7.1 理想MOS结构理想;MOS结构中的电容特性 (n型;(n型)(p型)0反型（INV;7.1.5 Poisson方程;§7.2 MOS结构中的电容特;反型情形一旦反型层（Inver;§7.3 非理想MOS结构 7;2、非理想MOS电容的偏置（平;§7.3 非理想MOS结构 7;§7.3 非理想MOS结构 1;§7.3 非理想MOS结构 4;当Tox＝100nm，Qf＝1;§7.3 非理想MOS结构 7;1. 多晶硅功函数和耗尽效应 ;1. 多晶硅功函数和耗尽效应 ;1. 多晶硅功函数和耗尽效应 ;3. 带带隧穿(band-to