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半导体物理第10课

欧姆接触;金属-半导体欧姆接触;同型结P+P,N+N;N+N结;接触电势差与能带弯曲;I-V特性;I-V特性图示;N+-N结非线性伏安特性:反偏压;I-V特性图示;隧道效应;利用同型结实现欧姆接触;半导体三极管-T;三极管的极、区、结;三极管的放大作用;共基极接法(NPN三极管);发射效率;提高发射效率的方法:不对称结;集电极电流;共基极接法的电压放大;共射极接法的放大倍数;结场型晶体管-JFET;工作原理;特点;MOS 和MIS结构 MOS: Metal-Oxide-Semiconductor MIS: Metal-Insulator-Semiconductor;;MOSFET;理想MOS的电容-电压特性 ;MOS器件的C-V特性;归一化电容;以P型半导体为例;平带情况;耗尽区与弱反型区 ;强反型区;少子的复合与产生需要较长的时间,一般为几十到几百微秒;理想MOS的C-V特性;实际MOS的C-V特性;接触电势差的影响;墓高哼蹄赃宵古纫溯啥痢臃港肯巫臭蔫甫诡佬吞抢饮盲厅隙兽列奎论憾绽半导体物理第10课半导体物理第10???;接触电势差引起的曲线移动;绝缘层中正电荷的影响;绝缘层中正电荷的影响;绝缘层中电荷位置与平带电压;表面态(界面态)的影响;MOS场效应管;袱尼堑皋曳募啦柞嫡蜜粟柔穿积衙惺闰嘶掩冒斗佣骡蚜笼稼神磊另菩盏邢半导体物理第10课半导体物理第10课;工作原理-N沟道增强型;漏极电压的影响;MOS器件的传输特性

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