基于0.35μm sige bicmos的高纯度频率综合器 a high purity integer-n frequency synthesizer in 0.35μm sige bicmos.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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基于0.35μm sige bicmos的高纯度频率综合器 a high purity integer-n frequency synthesizer in 0.35μm sige bicmos.pdf

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基于0.35μm sige bicmos的高纯度频率综合器 a high purity integer-n frequency synthesizer in 0.35μm sige bicmos

第29卷第4期半导体学报 V01．29No．4 2008年4月 JOURNALOFSEMICONDUCTORS Apr．，2008 A in SiGeBiCMOS。 HighPurityInteger-NFrequencySynthesizer 0．351工m Jian’，Li ZhangHaiying Zhang Zhiqiang，ChenLiqiang，ChenPufeng，and (InstituteMicroelectronics，Chinese 100029，China) of AcademyofSciences，Beijin8 in SiGeBiCMoSis different Abstract：An synthesizer presented．Byimplementingbuilding integer·Nfrequency 0．35tLm blockswithdifferentofdevices，a withexcellentand noise purityfrequencysynthesizer spur phase performance types high hasbeenrealized．Allthe blocksare withdifferential forthe filter．To building implemented topologyexcept off·chiploop furtherreducethe wiresareusedtoformtheresonatorintheLC-VCO．The phasenoise，bonding frequencysynthesizer from2．39to2．72GHzwith ofaboutOdBm．Themeasured noise operates outputpower closed—loopphase is一95dBc／Hz at100kHzoffset at1MHzoffsetfromthecarrier．Thelevelofthereferenceislessthan and一116dBc／Hz power spur 一72dBc．Witha3V whole the buffersconsumes60mA． chipincludingoutput powersupply。the I words：SiGe bandwidth Key BiCMOS；phase—lockedloop；highpurity；loop EEACC：2570K；1280 CLC Document Art