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基底对染料敏化太阳电池j-u特性的影响 effect of substrate on dssc j-u characteristics
基底对染料敏化太阳电池止U特性的影响 Michael 倪萌,LEUNG (香港大学机械工程系,香港) 摘要:根据肖特基理论和电子在半导体中的扩散理论,建立了模拟染料敏化太阳电池(ossc)J-U特性的理论模型,分 DSSC开路电压(Lk)和短路电流密度(Jsc)没有影响,但对填充因子(Fill (Eb)大于0.6eV时,DSSC的最大功率输出值随Eb的增大而明显降低。模型结果与文献报道的实验结果一致。该模型 研究为DSSC基底材料的选取提供了理论依据,并适用于除TIO。之外的其他半导体材料。 关键词:染料敏化太阳电池(DSSC);基底;肖特基势垒;理论模型;填充因子;最大功率输出点 中图分类号:TM914.4;TQ050.4文献标识码:A文章编号:1002—087X《2006)08-0668—04 Ef.fectofsubstrateonDSSC乒Ucharacteristics NI Michael Meng,LEUNG ofMechanical (Departmcnt Engineering,TheUniversityofHongKong,HongKong,China) Abstract:Basedon andelectrondiffusion theoreticalmodelis tosimulatethe theory theory,a developed Schottky of effectof onJ_Ucharacteristicsa solar oxide(TCO)substrate dye-sensitizedcell(DSSC). transparentconducting It isfoundthatthe formedatthe contacthasnoinfluenceinthe TiO丌CO open-circuit Schottkyjunction voltage short has effectonthefillfactor.Whenthe barrier circuit Schottky (Lk)and current(J8c).However,itsignificant in canresultin reductionintheDSSCmaximum than0.6 increaseEb height(Eb)ishigher eV,any apparent power simulationresultsareconsistentwiththe data.The modeI the output.The reportedexperimentalproposedprovides
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