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2008 测量计算金属_半导体接触电阻率的方法
封装 、测试与设备 Package , Test and Equipment 测量计算金属半导体接触电阻率的方法 李鸿渐 , 石瑛 ( 武汉大学 物理技术与科学学院 , 武汉 430072 ) 摘要 : 如何测量 、计算得到精确接触电阻值已凸显重要 。介绍了多种测量计算金属半导体 欧姆接触电阻率的模型和方法 , 如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等 , 对 各方法的利弊进行了讨论 , 并结合必威体育精装版的研究进展进行了评述和归纳 。综合多种因素考虑 , 认为 圆点传输线模型是一种较好的测量金属半导体接触电阻率的方法 。 关键词 : 金属半导体接触 ; 接触电阻率 ; 传输线模型 中图分类号: TN30407 ; TN30593 文献标识码 : A 文章编号: 1003353X (2008) Measurement and Calculation of Specif ic Contact Resistance in MetalSemiconductor Contacts Li Hongj ian , Shi Ying ( School of Physics and Technology , Wuhan University , Wuhan 430072 , China) Abstract : How to precisely measure and calculate the contact resistance values becomes an important research proj ect Various models and methods for the measurement and calculation of special contact resistance in metalsemiconductor contacts were summarizedBoth the advantages and disadvantages of the models and methods were discussed , including linear transfer length method , circular transmission line model , multiple annular electrode , etcCombined with the latest research progress , the operate methods were commented and concludedComprehensive balance of various factors , a circular transmission line model ( CTLM ) was recommended as an ideal method for the measurement of special contact resistance in metalsemiconductor contacts Key words : metalsemiconductor contact ; specific contact resistance ; transmissio
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