低功耗2.4ghz 0.18μm cmos全集成低噪声放大器设计 low power 2.4ghz 0. 18μm cmos fully integrated low noise amplifier.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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低功耗2.4ghz 0.18μm cmos全集成低噪声放大器设计 low power 2.4ghz 0. 18μm cmos fully integrated low noise amplifier

第28卷第1期电气电子教学学报 V01．28No．1 OFEEE Feb．2006 2006年2月 JOURNAL 0．18pm 低功耗2．4GHz CMOS全集成低噪声放大器设计孔晓明，黄风义，王志功，张少勇 (东南大学射频与光电集成电路研究所，江苏南京210096) 擒羹：我们利用0．18pm 工艺在工艺和模型方面的改进，使得CMOSRF电路设计更为精确，可集成度更高。关麓词：CMOS射频集成电路；低噪声放大器；噪声系数中圈分类号：TN722．3；TNT02 文献标识码：A LowPower2．4GHz CMOS LowNoise 0．18tam FullyIntegrated KoNG Xiao．ming，HUANGFeng—yi，WANGZhi—gong，ZHANGShao—yong (InstituteofRF＆OE—ICs，Southeast 210096，China) University，Nanfing Abstract：A1V，2．4GHz CMOSLowNoise the50flreferenced fullyintegrated Amplifierincluding input networksis 0．1 withina areaof outputmatching implementedusing8t比mtechnologychip hasthenoise of2．7dBandaforwardofmorethan15dB．ThedetailsoftheLNA amplifier figure gain are inthis analysispresentedpaper． radio IC；LNA；noise Keywords：CMOSfrequency figure 砷化镓有很强的优势，就是说，只有利用CMOS工 0 引言艺，才有可能将射频、中频，以及基带部分的电路全快速增长的无线通信市场，使对低功耗和低价部集成到一块芯片上。由于接收机越来越多的使用格的接收机芯片组的需求越来越大。以往的接收机在小型移动设备上，因此低功耗是一个未来的发展大都是利用砷化镓或双极性硅工艺实现的功率放大要求。器、混频器、低噪声放大器等射频电路与CMOS工此前很多文献中，低噪声放大器的设计采用的艺实现的中频和基带电路进行混合集成。并且，那些是片外的输入输出匹配，以及采用了键合线电感。本射频电路主要由分离元件或低集成度的射频芯片构文采用了片内匹配，并且采用螺旋电感，所有电感全成的。近年来，随着特征尺寸的不断减小，0．18ttm部集成在片内。给出了一个电压为1V，功耗为8mW CMOS工艺MOSFET的特征频率已经达到50GHz的低噪声放大器。以上，使得利用CMoS工艺实现GHz频段的高频