低电压低功率宽频带升频混频器使用CMOS 018-μm 技术 - NPU CSIE.PDF

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2017-08-05 发布于天津
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低电压低功率宽频带升频混频器使用CMOS 018-μm 技术 - NPU CSIE

第十一屆離島資訊技術與應用研討會低電壓低功率寬頻帶升頻混頻器使用 CMOS 0.18-µ m技術王文俊 *陳俊達國立金門大學電子工程學系國立金門大學電子工程學系 s110040306@stu.nqu.edu.tw chenjd@nqu.edu.tw 論文摘要 -band ，UWB) 系統[1]主要運用在距離短，功率低，本文介紹寬頻帶升頻混頻器晶片，頻率覆蓋高傳輸量的無線個人網路，由於 UWB 系統有很低範圍從 3.26 到5.26 GHz ，使用台積電 0.18微米的發射功率，並不會影響其他窄頻高功率的頻帶， CMOS 技術。所提出的混頻器模擬結果達到 0.3~2 所以能夠更有效的使用頻譜資源。 dB的功率轉換增益和 -2 dBm的輸入三階截取點圖 1顯示了 UWB 系統的頻率範圍與頻帶圖 (IIP3) ，雜訊指數為 9.5~13.1 dBm ，在供應電壓為 [2] ，FCC在 2002 年2月劃分了 7500MHz的頻帶 0.8 V時，整體功率消耗為 4.3 mW ，本文所提出的 ( 3.1~10.6 GHz )給超寬頻 UWB 系統使用，在整個混頻器技術非常適合低功率寬頻系統應用。頻帶中包含了五個頻組(Band Group) ，其中又可以細分為十四個次頻帶，傳輸速率介於 110~480 關鍵詞： UWB 、升頻混波器、CMOS Mbps ，最大發射功率限制在-41.25 dBm( 約為 1 Abstract mW) 。 This paper presents a wideband up mixer chip Band Group #1 Band Group #2 Band Group #3 Band Group #4 Band Group #5 covering the frequency range from 3.26 to 5.26 GHz using TSMC 0.18μm CMOS technology. The Band Band Band Band Band Band Band Band Band Band Band Band Band Band simulated results of the proposed mixer achieve #1 #2 #3 #4 #5 #6 #7 #8 #9 #10 #11 #12 #13 #14 0.3~2 dB power conversion gain, -2 dBm input third-order intercept point (IIP3), 9.5 ~ 13.1 dBm 3432 3960 4488 5016 5544 6072 6600 7128 7656 8184 8712 9240 9768 10296 MHz noise figure, and the total dc power consumption of 圖 1. UWB 系統的頻率範圍與頻帶圖 this