MnSi稀磁半导体.pdfVIP

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MnSi稀磁半导体

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’ ’ #%%8 ’ , , , QM@ 7’ -M 7’ ]F@^ #%%8 ( ) (%%%=$#%U#%%8U’ %’ U:$##=%1 ,OY, Z[\/PO, /P-PO, %#%%8 OX05 7 ZX^A 7 /MH 7 !! #$% ! 磁性薄膜的结构研究! ! 任 鹏 刘忠良 叶 剑 姜 泳 刘金锋 孙 玉 徐彭寿 孙治湖 潘志云 闫文盛 韦世强 (中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥 #$%%# ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) #%%’ (% ( #%%’ (# (( 利用 射线衍射( )和 射线吸收近边结构( )方法研究了在 ( )衬底上及 温度条件下用分 ) )*+ ) ),-./ /0 (%% 1%%2 子束外延( )共蒸发方法生长的 磁性薄膜的结构 由 结果表明,只有在高 含量( 和 )样 34. 35 /0 7 )*+ 35 89 (’ 9 ! ( 6 ! 品中存在着 化合物物相 而 结果则显示,对于 浓度在 到 之间的 样品,其 原 35 /0 7 ),-./ 35 % ;’ 9 (’ 9 35 /0 35 : ’ ! ( 6 ! 子的 谱表现出了一致的谱线特征 基于多重散射的 理论计算进一步表明,只有根据 模型计算 ),-./ 7 ),-./ 35 /0 : ’ 出的理论 谱才能够很好的重构出 样品的实验 谱 这些研究结果说明在 样品中, ),-./ 35 /0 ),-./ 7

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