热处理对微型磁致伸缩材料传感器磁性能的影响-常州大学学报.PDF

( ) 第 卷 第 期 常州大学学报 自然科学版 ２７ ２ Vol２７No２ 年 月 ( ) ２０１５ ４ JournalofChanzhouUniversit NaturalScienceEdition A r２０１５ g y p 文章编号: ( ) ２０９５－０４１１２０１５０２００３５０４ 热处理对微型磁致伸缩材料传感器磁性能的影响∗ , , １２ １ １２ , , 胡佳佳 叶雪梅 胡 静 　 ( , ; , ) 常州大学 材料科学与工程学院 江苏 常州 奥本大学 材料系 阿拉巴马 奥本 １． ２１３１６４２． ３６８４９ : , 摘要 采用MEMS技术制备了尺寸为５００m×１００m×１５m的微尺度磁致伸缩材料传感器 发现MEMS技术沉积过程中传感 μ μ μ , . , 器内部不可避免地产生了内应力 对传感器磁性能带来不利影响 对微尺度磁致伸缩材料传感器进行真空热处理 旨在消除内应 , . : , , , 力 进一步提高传感器磁学性能 结果表明 真空退火可减小或消除传感器内应力 提高磁学性能 其中最佳退火温度为 ２５０℃ 时 . , , . 间为 ２h 该温度下退火不仅可完全释放传感器内应力 还可以改善波谱质量 提高共振频率 : ; ; ; ; 关键词 磁致伸缩材料 传感器 MEMS退火 内应力 中图分类号: 文献标识码: : / TG７５．５　　　　 A　　　　doi１０３９６９ issn２０９５－０４１１２０１５０２００８ j EffectofAnnealin onthePerformanceofMicroscale g ManetostrictiveSensors g , , １２ １ １２ , ,