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2017-07-24 发布于浙江
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0.6μm+CMOS过温保护电路设计.pdf

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第28卷第2期固体电子学研究与进展 V01．28，No．2 2008年6月 OFSSE Jun．，2008 RESEARCHPROGRESS 0．6IJmCMOS过温保护电路设计。董小英孙颖” 朱大中 (浙江大学信息与电子工程学系微电子与光电子研究所，杭州，3l0027) 2007—07—30收稿，2007一09—17收改穑摘要：采用CSMC5Vo．6肛m标准CMoS工艺设计研制了一种过温保护电路。该电路由三部分构成：PTAT(与热力学温度成正比)电压产生电路，带隙基准源电路和比较器电路。芯片测试结果表明在30～130℃温度范围内 PTAT输出电压线性度良好(最大偏差小于1．6％)，灵敏度约为10mV／℃；关断温度可由外接电阻设定，85℃以下实测值与设定值偏差小于5℃，85℃以上偏差稍大约为10℃。该过温保护芯片电路结构简单、面积小、功耗低，且具有良好的移植性，可广泛应用于LED照明驱动电路，电源管理芯片等场合，也可用于和MOS功率器件混合封装组成带过温保护的功率器件模块。关键词：互补金属氧化物半导体；过温保护；功率场效应管中图分类号：TN431．1；TN402文献标识码：A 文章编号：lOoO一8819(2008)02—281-03 ofaThermal—shutdownCircuit Design CMOS 0．6Um Technology Using DoNG SUN ZHU XiaoyingYing Dazhong Sfi￡，lce口”dE如ctrD咒ics (D印nrfm暑耐o，，，l，葫研口fio，l E咒gi，l￡e一行g，Z^巧妇，lgc，挖而P邝i砂，H口ngz．Ilo群，310027，C日Ⅳ) Abstract：Athermal—shutdowncircuitis andfabricated standard designed usingO．6pm moduleand CMOS fromCSMC．Itis ofPTATmodule，referencecomparator process composed module．PTAT isdefinedas tothe outputvoltage proportionalthermodynamictemperature．Ex— results an PTAT 10mV／℃and1inearity(maxi— perimentalyieldoutput Voltagesensitivity good set mum is the of30～130℃．Shutdowncanbe an 1．6％)over temperatureby dispersancy range resistorandunder