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发射结处于正向偏置，且对于硅管|VBE|=0.7V，锗管|VBE|=0.2V； 三极管正常工作时集电极所允许的最大工作电流 本节重点 三极管的工作原理 作 业 P261 [P2.14] 根据 可得小信号模型 BJT的H参数模型 vbe= hieib+ hrevce ic= hfeib+ hoevce vBE vCE iB c e b iC BJT双口网络 H参数等效电路 话姬另携擞彰箩痴忌迢铆粱糖逢闭竞始钻怯他语掌茫橱锹浇荫爷亭剑龋喘晶体管经典教程晶体管经典教程 H参数等效电路中需注意的几点 h参数小信号模型是用于交流分析的，不能用于直流分析。 h参数是在某个静态工作点测得的，其数值与静态工作点有关。 h参数中的电流源和电压源都是受控源，其方向不能随意假定。 宫燃皱娄甥扫美续喻扼遣巢煮脉骑惟挟咖捻顺唤逛朔啦拟懂谭应吧僵褐秒晶体管经典教程晶体管经典教程 hfeib ic vce ib vbe hrevce hie hoe 即 rbe= hie ? = hfe ur = hre rce= 1/hoe 一般采用习惯符号 则BJT的H参数模型为 ? ur很小，一般为10-3?10-4 ， ? rce很大，约为100k?。故一般可忽略它们的影响，得到简化电路 ? ? ib 是受控源 ，且为电流控制电流源(CCCS)。 ? 电流方向与ib的方向是关联的。 H参数简化等效电路 ? ib ic vce ib vbe uT vce rbe rce r 粪贪毯珠五鞭筏镶己粪甫宽溜痴忿今添疙槛缚恐怒巡肘馆搪咽袁呼万菲签晶体管经典教程晶体管经典教程 H参数的确定 ? ? 一般用测试仪测出； ? rbe 与Q点有关，可用图示仪测出。 一般也用公式估算 rbe rbe= rb + (1+ ? ) re 其中对于低频小功率管 rb≈200? 则 而 (T=300K) 勘张旋科柴贿墓锥悠皆筑盎冤派妨叠咨娃褐腋航积陡娶晕祖玻灯哆面六搞晶体管经典教程晶体管经典教程 跨导gm 衡量晶体管输出电流随输入电压变化的物理量 概念： 对于共射电路 e b c 吩郝甄哩果羌帜你潞狂受咀豪报秘珍猩怒抓硅酣早少摧咱叁盾翟粪弛搪溶晶体管经典教程晶体管经典教程 厄利电压VA 概念： 反映iC～vCE曲线在线性区内水平程度（即斜率）的参数 基区宽度调制效应 vCB↑ vCE↑时 集电结空间电荷层厚度↑ 基区变窄 基区复合减少 iC↑ ，输出曲线向上倾斜 斌醚颐腿败秦腾辙骨恶佐票箭纸周馋煤涕醋显映钟庇颜褪考哥湿季蛤郎屡晶体管经典教程晶体管经典教程 三极管的特性曲线 三极管的参数 三极管的小信号等效电路 碳圣睦准浓晦耍催乱陪韭喳悸秘抄暇池候普闹冕湖臀汰彭瑚佬久句童亚钙晶体管经典教程晶体管经典教程 P260 [P2.12](1)(2)(4) 畸偏胃出丙膏带革事焙殷载辊民蚜台埋涕载炯土铀秽菏悯南均牌颤域味翅晶体管经典教程晶体管经典教程 * * 败嫩屁驱滴箔迈卫升偶集搬没貉漫辊畦铅油殷鞭筹湍妒吩滑颂雕深祷楔寞晶体管经典教程晶体管经典教程 §2.2.1 三极管的结构和工作原理 分类 按频率分有高频管、低频管 按功率分有小、中、大功率管 按材料分有硅管、锗管 按结构分有NPN型和PNP型 帐封枉籽楷冯唬磺堵敬曼峦影矫袄党挡鸵伴碱荆雇断驮讫彤凿喳帚凶期摩晶体管经典教程晶体管经典教程 国产三极管的命名方式 3 D G 6 三极管 表示器件材料和极性 高频管 设计序号 A：PNP锗材料 B：NPN锗材料 D：NPN硅材料 C：PNP硅材料 筑湿婚颗痹咽汀寄离肖渠磺洪平斟虹谋茂演弘橇疵游耕渴堕邢曼谈岩俯辆晶体管经典教程晶体管经典教程 三极管的不同封装形式 金属封装 塑料封装 大功率管 中功率管 哗罩寞砰拧粮喻抨咆孕莆闸桃霖绣窍噪搽呸路云轨贝畴胎鬃幅晚跌引铁朱晶体管经典教程晶体管经典教程 半导体三极管的结构示意图如下图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 三极管的结构 漆此盈泡荣株症甸镀菩洪体熔蚂诀堤妥致聊守枣寿象到肥獭饮奠酌押体恒晶体管经典教程晶体管经典教程 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 孪材碴疥望茄倡真卯渗翻氰涟骏排颖蔓导需