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§7.6 半导体磁敏器件;霍尔传感器;霍尔器件的优点;应用领域;霍尔效应;霍尔效应是导体中自由电荷受洛仑兹力作用而产生的。设霍尔元件为N型半导体，当它通以电流I 时，半导体中的电子受到磁场中洛仑兹力 FL 的作用，其大小为：;电荷的聚积必将产生静电场，即为霍尔电场，该静电场对电子的作用力为 FE 与洛仑兹力方向相反，将阻止电子继续偏转，其大小为：;设流过霍尔元件的电流为 I 时：;霍尔系数;灵敏度;霍尔元件的主要技术参数;霍尔电势温度系数α;InSb霍尔元件的输出特性;昧犁甫贞碘唤桅供媚背址差尚泳羞及匈袱内桶药由镶娄祭字扰阜蛔淬钝姿敏感设备7-4敏感设备7-4;霍尔器件应用中的问题;温度误差及其补偿;在温度影响下，元件输出电阻从Rt0变到Rt，输出电阻Rt和电势UHt应为 Rt＝Rt0 (1+βt)；UHt＝UHt0 (1+αt)，式中β、α为霍尔元件的输出电势UHt和输出电阻Rt的温度系数。此时RL上的???压则为：;磁阻效应;磁敏电阻;为了提高元件的电阻增加率，元件采用在半导体表面制作了金属短路栅的结构，以短路霍尔电势，从而使电流得到最大偏转角。 实际生产的InSb—NiSb磁敏电阻器是在锑化铟熔融体中掺入镍(Ni)，结晶时使锑化镍以针状析出，形成短路栅。短路栅结构实际上是将器件分成多个小的宽长比大的电阻，再串联起来，得到大的电阻变化。;磁敏电阻大小与器件形状是相关的。 磁敏电阻的灵敏度一般是非线性的，且受温度影响较大。;磁敏二极管和磁敏三极管;无磁场正偏置下，磁敏二极管通过P区、N区向I区注入空穴和电子，并在I区有少量的复合；当磁敏二极管受到图(b)所示的外界磁场H+(正向磁场)作用时，则电子和空穴受到洛仑兹力的作用而向r区偏转，由于r区的电子和空穴复合速度比光滑面I区快，因此，电流因复合速度加快;磁敏二极管的主要特性;(2)伏安特性;温度补偿方法;磁敏三极管;磁敏三极管的主要特性;(3)温度特性;磁敏MOSFET;集成磁敏传感器及应用;汽车ABS系统;§7.7 半导体致冷器;半导体致冷工作原理;器件结构;器件特性参数;产品参数