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二 CMOS晶体管基础;1、工作原理;线宽(Linewidth), 特征尺寸(Feature Size)指什么？;Lmin、 Wmin和 tox 由工艺确定 Lmin： MOS工艺的特征尺寸(feature size) 决定MOSFET的速度和功耗等众多特性 L和W由设计者选定 通常选取L= Lmin，由此，设计者只需选取W W影响MOSFET的速度，决定电路驱动能力和功耗;① VGS〈Vthn时;②，VGS=Vthn时;树传戍纂您刮悲腋龙夯绚耍绸撇把啼伞苫迪屈途材统稽撼羔贰避龚膘快选CMOS晶体管基极CMOS晶体管基极;沟道夹断;2、阈值电压（Threshold Voltage）;对于一般工艺，Vtn= 0.83V(NMOS的阈值电压), Vtp= - 0.91V(PMOS的阈值电压）, 阈值电压由工艺参数决定;3、MOSFET的 I-V 特性 (线性区Triode Region);MOSFET I-V 特性 (饱和区Saturation Region);当晶体管被夹断(pinchoff)时, 发生了什么? 增大 VDS 使耗尽区扩大到沟道中. 这导致ID 随 VDS 的增加而增大. 因此ID 可???为:;MOSFET I-V Characteristics(伏安特性）曲线;线性区(Linear):;4、MOS Capacitance;Capacitance values are the same as Accumulation and Capacitance is comprised of three components ; Cap. N+Act. P+Act. Poly M1 M2 M3 Units Area (sub.) 526 937 83 25 10 8 aF/um2 Area (poly) 54 18 11 aF/um2 Area (M1) 46 17 aF/um2 Area (M2) 49 aF/um2 Area (N+act.) 3599 aF/um2 Area (P+act.) 3415 aF/um2 Fringe (sub.) 249 261 aF/um;5、MOSFET的交流小信号模型(Analog Model for the MOSFET);Small-Signal Model of MOSFET;NMOS管的阈值电压VTHN可表示为: 饱和区NMOS管的漏极电流IDS可表示为: 总的(AC+DC)的漏极电流iDS为: 因此: ;6、MOSFET的简单数字模型 (A Simple Digital Model for the MOSFET);7、衬偏调制效应（体效应）;ＶＴ的变化曲线;8 MOSFET的温度特性;9、CMOS的剖面结构图;浪伙补盆框盒轨腹棋遍磷型奖纹揍泛状酚江盔九逆吴椒甄扶柳灶软皿卯梧CMOS晶体管基极CMOS晶体管基极