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半导体器件物理1 施敏
第1章 半导体器件简介 1.1 半导体器件 器件的4种基础结构 半导体 金属 金属-半导体接触 P型半导体 N型半导体 P-N结 半导体A 半导体B 金属 半导体 氧化物 异质结 MOS结构 （一）金属半导体接触 可以用来做整流接触,具有单向导电性； 也可以用来做欧姆接触,电流双向通过。 （二）p-n结(junction) 一种由p型和 n型半导体接触形成的结，是大部分半导体器件的关键基础结构； 加上另一个p型半导体就可以形成一个p-n-p双极型晶体管； 结合三个p-n结就可以形成p-n-p-n结构,叫做可控硅器件。 （三）异质结(heterojunction) 由两种不同材料的半导体接触形成的结； 是快速器件和光电器件的关键构成要素。 （四）MOS结构 金属-氧化物界面和氧化物-半导体界面结合的结构； 用MOS结构当作栅极,再用两个p-n结分别当作漏极和源极,就可以制作出金氧半场效应晶体管(MOSFET)； 目前集成电路中最重要的器件。 公元 半导体器件 作者/发明者 1874 金属-半导体接触 Braun 1907 发光二极管 Round 1947 双极性晶体管 Bardeen Brattain Shockley 1949 P-N结 Shockley 1952 太阳能电池 Chapin Fuller Pearson 1958 隧道二极管 Esaki 1960 MOSFET Kshng Atalla 1967 非挥发性半导体存储器 Kahng 施敏 主要半导体器件
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