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基于磨损行为的单晶硅片化学机械抛光材料的去除特性.pdf
第 7卷 第 3期 纳 米 技 术 与 精 密 工 程 Vol. 7 No. 3 2009年 5月 Nan otechnology and Prec ision Eng ineer in g M ay 2009 基于磨损行为的单晶硅片化学机械抛光材料的去除特性 1 2 1 1 3 苏建修 , 高 虹 , 陈锡渠 , 宁 欣 , 郭东明 ( 1. 河南科技学院机电学院 , 新乡 453003; 2. 贵州大学职业技术学院 , 贵阳 550025; 3. 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室 , 大连 116024) ( ) 摘 要 : 为了掌握化学机械抛光 CM P 过程中硅片表面材料的去除行为 ,根据 CM P过程中硅片表面材料的磨损行 为 ,建立了硅片 CM P 时的材料去除率构成成分模型 ,设计了不同成分的抛光液并进行了材料去除率实验 ,得出了 机械 、化学及其交互作用所引起的材料去除率. 结果显示 ,机械与化学的交互作用率为 857% ～991% . 磨粒的机 械作用率为 695% ～94 0% ,磨粒的机械与化学交互作用率为 551% ～931% . 由此可见 ,磨粒的机械作用是化学 机械抛光中的主要机械作用 ,磨粒与抛光液的机械化学交互作用引起的材料去除率是主要的材料去除率. 研究结 果可为进一步研究硅片 CM P 时的材料去除机理提供理论参考依据. 关键词 : 化学机械抛光 ; 材料去除机理 ; 材料去除率 ; 磨损行为 中图分类号 : TN 3051 文献标志码 : A 文章编号 : (2009) Character istic of M a ter ia l Rem ova l in Chem ica l M echan ica l Polish ing of Silicon W afer Ba sed on Abra sion Behav ior 1 2 1 1 3 SU J ianxiu , GAO Hong , CH EN X iqu , N IN G X in , GUO Dongm ing ( 1. Schoo l of M ach inery and E lectricity, H enan In stitute of Science and Techno logy, X inxiang 453003, Ch ina; 2. Co llege of Vocational Education, Gu izhou U n iversity, Gu iyang 550025, Ch ina; 3. Key L aboratory for Precision and NonTraditional M ach in ing Technology of M in istry o
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