ito 薄膜导电机理紫外2红外光谱分析 - 武汉理工大学学报.pdfVIP

第 3 1 卷 　第 22 期 武 　汉 　理 　工 　大 　学 　学 　报 Vol . 3 1 　No . 22 2009 年 11 月 JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 　Nov . 2009 DO I :10 . 3963/ j . issn . 167 1443 1. 2009 . 22 . 024 ITO 薄膜导电机理紫外红外光谱分析 余 　刚 , 赵芳红 , 刘益环 ( 中国建筑材料科学研究总院 ,北京 100024) 摘 　要 : 　采用射频磁控溅射方法在石英玻璃基片上制备 I TO 薄膜 ,结合薄膜面电阻和微观结构 ,采用红外 、紫外光谱 特征分析薄膜的导电机理 。结果表明:在相同氧分压下随温度升高紫外吸收波长向短波方向移动 ,光学带隙展宽 ,红外 等离子共振吸收波长向短波方向移动 ;随氧分压增加紫外吸收波长明显向长波方向移动 ,光学带隙变窄 ,红外等离子共 振吸收波长向长波方向移动 ;根据 BursteinMoss 移动理论及 XRD 、A FM 结果 ,说明温度升高改善 I TO 薄膜结晶程度 ,提 高 Sn 掺杂效率 ,载流子浓度增加 ;相同温度条件下随氧分压的增加使氧空位减少 ,载流子减少 ,并且氧分压的影响更为 显著 。 关键词 : 　I TO 薄膜 ; 　载流子浓度 ; 　红外光谱 ; 　紫外光谱 ; 　BursteinMoss 移动 ( ) 中图分类号 : 　TQ 17 1 文献标识码 : 　A 文章编号 : 167 1443 1 2009 Conductivity Mechanism of ITO Fil m Analyzed by Ultraviolet and Inf rared Spectra Y U Gang , ZHA O Fanghong , L I U Yih uan (China Building Materials Academy ,Beijing 100024 ,China) Abstract :　In t his article indiumtinoxide ( I TO) films are deposited on quartz glass substrates by RFmagnetron sputtering. The films are examined by XRD , A FM , and UV/ N IR sp ectroscop y . The conductivity mechanism of I TO film is analyzed . The result s show t hat I TO films deposited at high substrate temp erature , t he carrier is given by tin doping , wit h increasing temp era ture t he band gap shift s towards shorter wavelengt h and t he carrier concentration increasing , as t he substrate temp erature at 100 ℃t he carriers of I TO fil