基于klarite芯片的表面增强拉曼散射特性研究surface－enhancedra.pdf

第 卷 第 期 光 散 射 学 报 ２４ １ Ｖｏｌ．２４ Ｎｏ．１ 　 　 　 　 　 　 年 月 ＴＨＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦ ＬＩＧＨＴＳＣＡＴＴＥＲＩＮＧ 　 　 　 　 　 ２０１２ ３ Ｍａｒ．２０１２ 文章编号： （ ） １００４５９２９２０１２０１０１７０６ － － － 基于Ｋｌａｒｉｔｅ芯片的表面增强拉曼散射特性研究 ＊ ， ， ， ， ， ， 王俊俏 朱双美 何金娜 程永光 范春珍 蔡根旺 梁二军 （ ， ） 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室 郑州 ４５００５２ ： （ ）， 、 摘 要 本文介绍了一种商用的表面增强拉曼芯片 Ｋｌａｒｉｔｅ 并对其表面形貌 拉曼活性进行了表征和测 　 。 、 ， 试分析 Ｋｌａｒｉｔｅ芯片由于独特的倒金字塔形设计使得其具有较好的拉曼活性 稳定性和重现性 为生命科 。 ， 学和分析化学研究提供了有力的研究工具 此外 我们对 Ｋｌａｒｉｔｅ芯片在外电磁场作用下的表面电场分布 ， “ ” ， 进行了模拟 发现一个结构单元中存在多个 热点 区域 并且最大电磁场的增强随着倒置金字塔的高度 ｈ ， ， ， 。 改变而变化 当 为 时 电磁场增强达到最大 约为 倍 ｈ ６００ｎｍ ２５ ： ； ； 关键词 Ｋｌａｒｉｔｅ芯片 表面增强拉曼散射 电场增强 中图分类号： ， 文献标识码： Ｏ４３３ ＴＢ３９ Ａ 　　　 ＳｕｒｆａｃｅＥｎｈａｎｃｅｄＲａｍａｎＳｃａｔｔｅｒｉｎ － 　 　 ｇ Ｐｒｏ ｅｒｔｉｅｓｏｆＫｌａｒｉｔｅＣｈｉｓ ｐ 　 　 　 ｐ ， ， ， ， ＷＡＮＧ Ｊｕｎ ｉａｏ ＺＨＵ Ｓｈｕａｎ ｍｅｉ ＨＥＪｉｎｎａ ＣＨＥＮＧ Ｙｏｎ ｕａｎ 　 － 　 － 　 － 　 － ｑ