半导体器件金铝键合的寿命研究 - 微电子学.pdfVIP

下载本文档

545
0
约2.29万字
约 4页
2017-09-02 发布于天津
举报
版权申诉

半导体器件金铝键合的寿命研究 - 微电子学.pdf

1、本文档共4页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

半导体器件金铝键合的寿命研究 - 微电子学

第卷第期微电子学 , 45 6 Vol.45 No.6 年月 2015 12 Microelectronics Dec.2015 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 半导体器件金铝键合的寿命研究 , , , , , 王路璐李洵高博王立新罗家俊韩郑生 ( , ) 中国科学院微电子研究所北京 100029 : , 摘要金铝键合失效是器件常见的失效模式之一主要是由于金属间化合物的生 MOSFET , , , 。 , 成影响了金铝键合的接触电性能从而导致键合强度下降接触电阻升高针对这种失效模式进 , , 行了三种不同高温条件下的加速寿命试验并对这三种试验的器件进行金铝键合现象观察对目前工艺水平下的金铝键合寿命进行了评估。 : ; ; ; 关键词金铝键合可靠性加速试验寿命预测中图分类号: ; 文献标识码: 文章编号: ( ) TN406TN305.93 A 1004-3365201506-0800-04 Stud ontheLifetimeofGold-AluminumBondin inSemiconductorDevices y g , , , , , WANGLulu LIXun GAOBo WANGLixin LUOJiaun HANZhenshen j g g ( , , , ) Instituteo Microelectronics ChineseAcadem o Sciences Beiin 100029 P.R.China f y f j g Abstract: The oldaluminumbondfailureisoneofthemostfailuremodesforMOSFETdevices.Thefailure g - ( ) modeismainlcausedb theAuAlintermetalliccom ounds IMC rowth.TheIMC rowthmakesthebondin y y