集成电路工艺技术（康博南）第五章 光刻作业.docVIP

第五章 光刻作业 1、光刻的定义：光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。 光刻的目的： 光刻的目的就是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。 2、光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型：光聚合型、光分解型、光交联型。 3、负胶特点： ① 曝光前可溶，曝光后不可溶 ② 良好的粘附能力 ③ 良好的阻挡作用 ④ 感光速度快 ⑤ 显影时吸收显影液发生膨胀和变形。所以只能用于2μm以上的分辨率 4、正胶特点： ① 曝光前不可溶，曝光后可溶 ② 分辨率高 ③ 台阶覆盖好 ④ 对比度好 ⑤ 粘附性差 ⑥ 抗刻蚀能力差 ⑦ 高成本 6、分辨率定义：《半导体制造技术》p312 倒数第二段。 8、光刻工艺中的HMDS是什么？它其什么作用？《半导体制造技术》p320后两段。 13、列出并描述旋涂光刻胶的4个基本步骤。《半导体制造技术》p330 14、陈述软烘的4个原因。《半导体制造技术》p333 18、列出并解释两种形式的光波干涉。《半导体制造技术》p344 19、光刻中使用的两种UV光源是什么？《半导体制造技术》p346 21、哪种激光器用做248nm的光源？193nm的光源是什么？《半导体制造技术》p348 23、驻波效应：光线照射到光刻胶与晶圆的界面上会产生部分反射。反射光与入射光会叠加形成驻波，形成驻波效应。驻波效应影响光刻分辨率。后烘烤后会部分消除驻波效应。