9012（A10） EB - 扬州晶新微电子有限公司.PDF

TRANSISTOR 9012 A10 ） TRANSISTOR 9012 A10 ） 品资料 品资料 何参数 何参数 何参数 管芯尺寸 (MASK) 0.44 × 0.44 mm 管芯厚度 210 ± 20 μｍ B 基极 108 × 108 μｍ 压焊区尺寸 发射极 110 × 110 μｍ 正面金属层 Al 背面金属层 Au E 圆片尺寸 Φ 125 ｍｍ 每片有效管芯数 55,000 极限值（绝对最大额定值） (Ta=25 ℃) TO-92 参数 符号 规格 单位 集电极-基极电压 VCBO -40 V 集电极电流 IC -500 mA 集电极功耗 PC 625 mW 结温 Tj 150 ℃ 电特性 (Ta=25 ℃) 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 集电极-基极击穿电压 BVCBO IC=-0.05mA，IE=0 -40 V 集电极-发射极击穿电压 BVCEO IC=-1mA，IB=0 -20 V 发射极-基极击穿电压 BVEBO IE=-0.05mA，IC=0 -5 V 集电极-基极截止电流 ICBO VCB=-35V，IE=0 -0.1 μA 发射极-基极截止电流 IEBO VEB=-5V, IC=0 -0.1 μA 直流电流增益 hFE VCE=-1V，IC=-50mA 85 400 集电极-发射极饱和电压 VCE(sat) IC=-500mA，IB=-50mA -0.6 V 基极-发射极饱和电压 VBE(sat) IC=-500mA，IB=-50mA -1.2 V VCE=-6V，IC=-20mA 特征频率 fT