鑫多晶-S2 - 保利协鑫.PDF

鑫多晶-S2 GCL積極打造立體化的矽片業務發展模式，通過設備的創 新化改造與自主研發、介入矽片輔料的規模化生產，致力提升 光伏材料業務的整體競爭力。 GCL鑫多晶-S2高效多晶矽片能夠為客戶提供更高的效 率，更加持久的表現，以及更低的成本。鑫多晶-S2是GCL通 過對晶體生產理論的深刻理解，設計先進而獨創的熱場，開發 精細的工藝，採用自產的優質矽料，在嚴格的品質控制下生產 製造出來的全新產品，將助力電池、元件客戶打造更具競爭 力、更有價值的產品。 總體性能 低金屬 雜質濃度 較基準線有0.2-0.5%效率的提升 有效降低光伏發電成本LCOE 低氧 獨特的 可以製備250+W多晶矽元件 碳濃度 晶體結構 （156mm×60片） 產品特點 低位錯、層錯 均勻的 晶界等 缺陷密度 摻雜分佈 鑫多晶-S2 產品性能參數 材料特性 Material properties 特性 Property 規格 Specification 生長方式 Crystal Growth Method DSS 導電型號/摻雜劑 ConductivityType/Dopant P/Boron 氧含量 Oxygen Concentration ≤5.0×1017 atoms/cm³ 碳含量 Carbon Concentration ≤8.0×1017 atoms/cm³ 電學特性 Electrical properties 電阻率 Resistivity 1.0~3.0 Ω·cm 少子壽命 Brick Lifetime ≥5 µs 幾何尺寸 Geometry 厚度 Thickness 200±20,180±18µm TTV ≤30 µm 翹曲度 Warpage ≤50 µm 寬度 Width 156±0.5mm 直角度 Right Angle 90°±0.3° 對角線 Diagonal 219.2±0.5 mm 斜邊 Hypotenuse 0.5~2.0mm 倒角尺寸 直角邊Cathetus 0.35-1.42mm Chamfer Size 斜角度 Chamfer angle 45 °±10° 隱裂 Microcrack 無 Not allowed 線痕 Saw marks ≤10 µm不限條數 ；10~15µm≤5條/1cm 崩邊深度 ≤0.3 mm，長度 ≤0.5 mm; 最多2個/片 崩邊 Edge Chip