表4-4-国立中央大学电机系.DOC

表4-4 課程綱要表 課程名稱 (中文) 次微米元件物理技術 (英文) Submicorn Device Physics and Technology 開課單位 電機系 授課教師 李佩雯 課程代碼 EE8006 選課性質 ?必修?選修 學分數 3 開課年級 四、研 先修科目或先備能力 固態電子學或半導體元件 課程概述 當半導體元件的尺度由微米進入深次微米(0.25 ?m)甚或奈米等級時，傳統經驗法則與模型已無法完整詮釋元件的電氣與傳輸特性，更無法推測預估元件微縮後的特性。本課程將以簡單的MOS元件為基礎，介紹當元件的尺度由長通道過度到短通道時所衍生的短通道效應，與其對元件應用於積體電路時可能之影響及解決之道。另外，將簡介目前必威体育精装版前瞻的奈米電子元件並對於旗元件特性與可能之應用作一綜合性的評估。 課程目標 了解深次微米甚或奈米電子元件的物理與傳輸特性，進而得以分析或設計深次微米或奈米電子元件。 教科書 Robert F. Pierret: “Advanced Semiconductor Fundamentals” 參考書 D. A. Neaman, “Semiconductor Physics and Devices” 教學要點概述 講義編選 (自己編寫 (教科書提供 教學方法 ?講授 ?實驗/實習 ?實作計畫 ?學生上台報告 ??討論互動 評量方式 Exams (midterm and final exams) 90% Participation (attitude, attendance, asking questions, answering questions, helping, and other possible contributions) 10% 教學輔具 軟體 硬體 學習輔具 軟體 硬體 課程平台 (Black Board System ((http:// 教學資源 課程綱要 核心能力 單元主題 單元綱要 一 二 三 四 五 六 七 八 九 * Fundamentals of MOS-Devices Band diagram of MOS capacitor √ √ Gate oxide integrity Long Channel MOSFETs Important device parameters (threshold voltage, transconductance, subthreshold slope, off-state leakage, output resistance…) MOSFET Scaling Scaling-Methodology √ √ √ √ √ Gate Insulator Gate electrode S/D engineering Channel engineering Submicron MOSFETs Short Channel Effects √ √ √ √ √ DIBL punchthrough Hot carriers GIDL Quantum mechanics effect induced thickened Gate oxide Parasitic Effects Advanced MOSFET Device Structures and Characteristics SOI √ √ √ √ √ √ Multigate FET Straind Si/SiGe channel Raised S/D Emerging device structure Advanced Nano Electronics Floating-Dot FETs √ √ √ √ √ RTDs Nanowire FETs Single electron transistors Emerging devices Characterization and Simulation of Submicron MOSFETs Static Measur