第10讲 半导体存储器和其应用.pptVIP

方法： 只要根据函数的形式向存储器写入相应的数据即可。 步骤： （1）根据输入变量数和输出端个数确定存储器的类型； （2）将函数化为最小项之和的形式 （列出函数的真值表）； （3）列出函数的数据表； （4）画出相应的电路的结点图（编程写入数据）。 存储器 【ROM应用举例】 用ROM设计一个组合电路 试列出ROM的数据表，画出存储矩阵的点阵图。 解： A B C D Y1 Y2 Y3 Y4 A3 A2 A1 A0 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 W10 W11 W12 W13 W14 W15 地 址 译 码 器 D0 D1 D2 D3 【ROM应用举例】 存储矩阵的点阵图 【ROM应用举例】 ROM 数 据 表 A3A2A1A0 A B C D Y4Y3Y2Y1 D3 D2 D1 D0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 A3A2A1A0 Y4Y3Y2Y1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 第10讲 半导体存储器及其应用 10.1 概述 10.2 只读存储器（ROM） 10.3 随机存取器（RAM） 10.4 存储器的扩展 10.5 存储器的应用 10.1 概述 1. 存储器的构造特点 （1） 数目庞大与管脚有限 （2） 分组技术 （3） 地址译码技术 （4） 共享通道技术 功能： 存储大量二进制信息的半导体器件。 存储器 2. 存储器的分类 按存/取功能分 只读存储器 (ROM) 随机存储器 (RAM) SRAM DRAM 按制造工艺分 双极型 MOS型 UVEPROM E2PROM 快闪存储器（FLASH） 掩模ROM PROM EPROM 存储器 3. 存储器的主要技术指标 （1）存储容量：所存放信息的多少，用Bit表示 字节数?位数 如：2764 8K ? 8位 （2）存储时间：用读（写）周期表示 存储器 10.2 只读存储器ROM 定义：只读存储器ROM （Read—Only memory） 是存储固定信息的存储器件，即先把信息 和数据写入到存储器中，在正常工作时它存储 的数据是固定不变的，只能读出，不能迅速写 入，故称为只读存储器。 特点：掉电后存储的数据不会丢失。 存储器 1. 掩模只读存储器 (1)ROM的电路结构 包含:存储矩阵、地址译码器和输出缓冲器三个部分. 既有缓冲作用，又可以提供不同的输出结 构， 如三态输出、OC输出等 存储器 A1 A0 D3D2D1D0 (2)ROM电路的工作原理 0 0 0 1 1 0 1 1 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 地 址 线 4根字线 4 根 位 线 容量：4?4 读出控制 存储器 特点： （1）出厂时相当于所有单元都存入“1”； （2）写入数据时，用高编程电压将存“0”单元的熔丝烧断； （3）一经写入，不可再次更改， 是OTP（ONE TIME PROGRAMING）器件。 2. 可编程只读存储器(PROM) 字 线 位线 熔丝 存储器 2. PROM 容量：16?8 存储器 可擦除的可编程ROM ——EPROM UVEPROM E2PROM 快闪存储器（FLASH） 存储器 （1）UVEPROM 存储器件为叠栅注入MOS管：有控制栅和浮置栅的增强型NMOS管。 加较高的编程电压，在浮栅上雪崩注入负电荷的SIMOS管相