微机电实习报告.PDF

微機電實習報告 南台科技大學 機械工程系 微奈米技術組 四奈米三乙 指導老師： 莊承鑫 教授 組員： 林仕章(學號 沈冠宇(學號 黃逸郎 (學號 呂佳祐 (學號 謝宜璟 (學號 張文政 (學號 劉士嘉(學號 黃國展 (學號 許中瑋(學號) (學號) 實習題目：微影製程 實習日期： 100 年 5 月 9日 微影製程簡介 微影 (Photolithigraphy可說是半導體製程和微機電製程中舉足輕重的步驟之) 一，凡是與結構、圖案相關的，如：各薄膜圖案、雜質區域均由微影步驟所決定。 原理 :在晶片上覆蓋ㄧ層感光材料，來自光源的平行光經過光罩，打在感光材料 上，光罩上的圖案將使入射光反射，使透過光罩的光束也具備與光罩相同的圖 案，進一步使晶片上的感光材料進行選擇性的感光。於是光罩上的圖案便完整的 傳遞到晶片的感光材料上﹔此步驟即所謂的曝光 (Exposure) 。曝光之後再經過顯 影 (Development) ，就如同洗相片一般，光罩上的圖案則成功的轉移至感光材料 上。 微影基本製程是由三大步驟所構成 :感光材料覆蓋、曝光與顯影，但為加強圖案 轉移之精確性與可靠性，整各製程還包括去水烘烤 (Dehydration Bake ) 、塗底 (Priming) 、軟烤(Soft Bake) 與硬烤(Hard Bake)等。使得微影製程的複雜性明 顯提升，每一道製程都顯得相當重要。每一項製程都有著牽一髮則動全身的重要 性，關係著整個微影製程的成敗。 微影製程步驟： .tw/e_news/600/10_new01.html 基材已塗上光阻 將基材進行曝光的動作 因是正光阻，曝光後正光阻本身難溶於顯影劑，但遇到光則 會解離成溶於顯影劑之結構。 為避免曝光後光阻因其他的副反應而改變化學結構，經曝光後的光阻，應 盡速進行顯影。 以正光阻來說，顯影的目的是將晶片表面經曝光的光阻層，溶解再鹼性溶 液中。 顯影後，須將為被光阻覆蓋的氧化物層去除，去除的程序稱為「蝕刻」， 可分為「乾蝕刻」及「濕蝕刻」二種。此實驗使用蝕刻液為氯化鐵 此實驗時用酒精將光阻去除，而得到上列圖示。 心得: 從大二開始修陳毓良老師的微奈米概論 以及這次的微機電系統就開始學習 微影製程相關的課程，一直到今天才終於有機會接觸到微影製程的實習，實習步 驟在上課以及考試的反覆複習之下已經背得滾瓜爛熟，雖然只是用小型的實驗設 備進行實習，但是實際下去做如果沒有助教的幫忙，我們應該做得手忙腳亂吧！ 這次使用簡易的設備以正光阻曝光再加上氯化鐵做蝕刻讓鍍銅晶片顯影出 MANST Lab 字樣，希望以後有機會能夠實習到更深入的課程內容，讓我們能夠對 微機電系統相關內容更加的熟悉。