101华梵大学机电工程学系专题研究成果报告.PDF

101 華梵大學機電工程學系專題研究成果報告 紫外線曝光機制之最佳化研究 指導教授 : 黃忠仁 教授 參與學生 : B9802079 連浩丞 一、摘要 最後成品的好壞與光阻本身的時效限和 本研究主要是利用無塵室裡 光阻塗佈的厚度，顯影的時間有很大的 的黃光室進行塗佈 ，烘烤 曝光 ， ，顯影這四大類為主的實驗，並 關係 。 根據不同的參數進行更進一步的 分析及改進 ，因此此實驗需要不 下圖為顯影時間過長，塗佈厚度不夠的實驗 斷重複設定參數來達到最佳化 。 品 二、前言 近幾年來 ，台灣的半導體產業 日趨成熟 ，儼然成為整個國家的經 濟動脈之根本 ，而隨著電子科技的 蓬勃發展，高科技產業的技術不斷 成長 ，因此本實驗要求結果盡量達 成最佳化 。 三、研究方法 由於微影是將光敏性聚合物溶 液亦即光阻(Photoresist)塗於基板 下圖為顯影，厚度都在理想範圍內的實驗品 表面上，經由烘烤以去除溶劑，接 著將光阻曝於可控制之光源，光經 由光罩以定義所需之圖案。 四、結果與討論 本次實驗的參數，第一次秒數/ 轉速為25s/1800rpm，第二次秒數 /轉速為35s/2800rpm，烘烤2分鐘 /120度，曝光2分鐘，顯影3分鐘 最後再烘烤2分鐘，實驗結果發現 1 五、微影製程之前處理 七、正負光阻之差別 在微影製程的製作過程中，若遭到微塵 光阻 主要可分為正光阻與負光阻兩 或有機物的污染，在參數上的設定很容易受 種，正光阻為在 UV 紫外光照射的部分可以 影響，而導致加工的失敗。所以前處理主要 被顯影液去除掉，而未曝光的光阻則不會被 目的是在基材表面上作清潔處理(圖2.1)， 顯影液去除。而負光阻則相反，在被光照射 將表面的微塵及有機物去除，以增加基材與 之處不會被顯影液去除，而在未被光所照射 光阻的附著性。 之區域將會被顯影液所去除。 上圖為清潔基板步驟 基板在各溶液中，以超音波震盪三分 鐘。最後從水中取出，以氮氣槍吹乾，此時 基板上仍然有水氣附著於上，若沒有去除水 氣，將嚴重影響光阻劑對基板的附著力，使 圖案細緻部份於顯影時脫落。因此必須把基 板放置於100度~150度加熱板上3~5分鐘， 在於上光阻前放置到室溫即可。 六、光阻塗佈簡介 光阻塗佈時，須先將光阻液佈於基材的 中心，利用塗佈機旋轉之方式，以離心力的