溶胶凝胶法制备透明IZO薄膜晶体管-发光学报.PDF

第34卷摇 第2期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾34 No郾2 2013年2月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Feb. ,2013 文章编号:1000鄄7032(2013)02鄄0208鄄05 溶胶凝胶法制备透明IZO薄膜晶体管 * 信恩龙,李喜峰 ,张建华 (上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海摇 200072) 摘要:采用溶胶凝胶法制备了非晶铟锌氧化物(a鄄IZO)薄膜,并作为薄膜晶体管(TFT)的有源层制备了a鄄 IZOTFT。 研究了IZO薄膜中铟锌比对薄膜性质及 a鄄IZO TFT器件性能的影响。 结果表明:溶胶凝胶法制备 的IZO薄膜经低温(300 益)退火后为非晶结构,薄膜表面均匀平整、致密,颗粒大小为20 nm左右,并具有高 透过率(85 %)。 IZO薄膜中的铟锌比对薄膜的电学性能和TFT器件特性影响显著,增加In含量有利于提 高薄膜和器件的迁移率。 当铟锌比为3颐2时,所获得的薄膜适合于作为薄膜晶体管的有源层,制备的IZO鄄TFT 2 经过相对低温(300 益)退火处理具有较好的器件性能,阈值电压为1.3 V,载流子饱和迁移率为0.24 cm · -1 -1 5 V ·s ,开关比(I 颐I )为10 。 on off 关摇 键摇 词:溶胶凝胶法;铟锌氧化物薄膜;薄膜晶体管;低温 + 中图分类号:TN321 .5 摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx0208 Fabrication of Transparent Indium Zinc Oxide Thin Film Transistors by Sol鄄gel Technology * XIN En鄄long,LI Xi鄄feng ,ZHANGJian鄄hua (Key Laboratory of Advanced Display and SystemApplications of Ministry of Education,Shanghai University,Shanghai200072,China) *Corresponding Author,E鄄mail:lixifeng@shu.edu.cn Abstract:The amorphous InZnO (a鄄IZO) thinfilmswere prepared by sol鄄gel technology,and thin film transistors (TFTs)werefurtherfabricatedby employingtheIZOfilmsastheactivechannellay鄄 er afterlowtemperature (300 益)annealingtreatment. Theinfluenceof indiumconcentrationonthe electrical properties of IZO thin films and the IZO鄄TFTs was investigated in this paper. The r