应用电子学复习第六章1画出一npn电晶体(假设β=100)CB接法的输入.PDF

應用電子學 複習 第六章 1. 畫出一npn 電晶體(假設=100)CB 接法的輸入特性、轉換特性(CCCS 和VCCS) 和輸出特性(標出活性區、飽和區和截止區) 。 IE IC E C V CB V EB B 輸入特性: 輸出特性: 轉換特性: VCVS CCCS 2. 畫出一npn 電晶體(假設=100)CE 接法的輸入特性、轉換特性(CCCS 和VCCS) 和輸出特性(標出活性區、飽和區和截止區) 。 IC C IB V CE B V BE E 輸入特性: 輸出特性: 轉換特性: 3. 畫出npn 電晶體在各操作區的簡易大訊號模型。 (a)ACTIVE: I -control model: I -control model: B E (b)SATURATION (c)CUT-OFF 4. 解出右圖電路中BJT 之IC 及 VCE 。 SOL: 假設:BJT 在 ACTIVE 區 (work on the circuit directly) I 1mA C V 2.0V 0.2V CE Consistent with the original assumption. 5. 解出右圖電路中BJT 之I 及 V 。 C EC SOL: 假設:BJT 在ACTIVE 區 I 4.6mA C V 6.1V 0.2V EC Consistent!! 6. npn BJT 的小訊號模型: (本張不用交) (a) T model (b) hybrid- model 7. npn 電晶體小訊號模型整理(ACTIVE mode): (a)  -controlled model (VCCS) be i = /r =(I /V ) b be  B T be =I +i i = g  =(I /V ) (transfer char.) C c c m be C T be i = / r =(I /V ) e be e E T be (b) i -controlled model (CCCS) =I +i b B b  = r i be  b i