太赫兹真空电子器件的研究现状及其发展评述-电子与信息学报.PDF

第 30 卷第 7 期 电 子 与 信 息 学 报 Vol.30No.7 2008 年 7 月 Journal of Electronics Information Technology Jul..2008 太赫兹真空电子器件的研究现状及其发展评述 王明红①② 薛谦忠① 刘濮鲲① ①(中国科学院电子学研究所 北京 100190) ②(聊城大学物理科学与信息工程学院 聊城 252059) 摘 要：太赫兹真空电子器件具有输出功率高、可在常温下工作等优点，它在军用、民用领域有着广泛的应用前景。 本文介绍了国内外各种太赫兹真空电子器件研究的技术水平及应用现状，并对其今后发展趋势作了相应的评述。 关键词：真空电子器件；高功率微波；太赫兹源；太赫兹波应用 中图分类号：TN129 文献标识码：A 文章编号：1009-5896(2008)07-1766-07 Review of THz Vacuum Electronic Devices and Development ①② ① ① Wang Ming-hong Xue Qian-zhong Liu Pu-kun ① (Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ② (School of Physics Science and Information Engineering, Liaocheng University, Liaocheng 252059, China) Abstract: THz Electronic devices have the virtue of high power radiation, operating at normal temperature. They have potential applications in military, civil areas. This paper introduces in detail the recent development techniques and applications of THz electronic deivces, and gives some remarks on the developing trend of THz electronics devices. Key words: Vacuum electronic devices; High power microwave; THz Sources; Application of THz wave 1 引言 经过近十几年的研究，国际上对太赫兹辐射已经达成如下的 共识，即太赫兹是一种新的、有很多独特优点的辐射源；太 太赫兹(Terahertz，THz)波是指频率在 0.1THz-10THz 赫兹技术是一个非常重要的交叉前沿领域，其独特的性质将 (波长为 3mm-30 μm )范围内的电磁波(简称太赫兹)。由图 1 在物理、化学、信息和生物学等基础研究领域以及材料、通 可见，在长波段它与毫米波、亚毫米波相重合，而在短波段