器件结构与模型-电子与信息学报.PDF

第 卷 第 期 电 子 与 信 息 学 报 器件结构 与模 型 图 给 出槽栅器件结构 图 相对于平面器件 , 槽栅器件是利用 硅刻蚀技术将 器件 的 多晶 槽 中, 型结构 用 自 准工 实现 囚 由于 源 区 被 凹 隔开 , 抑制 了 区 电 栅沉入 新 可 对 艺 漏 域 槽 漏 场 向源 区 的扩散 , 因而抑制 了穿通效应和短沟道效应 同时, 由于在 凹槽拐 角处 电力线密集 , 。 形成 了两个 势垒 , 因而抑制 了 闭值 电压 随沟道 的降低和 热载流子 的产生 本研 究 的 槽栅 工艺和 标准平面工艺 的基本参数参照 了 拼 工艺 的器件参数 , 为 型衬底 , 杂质浓 , , , , “