一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’’ ( $$# ( ， ， ， ILK ?’’ PL ?( VOK9 $$# （ ） !$$$;A$$$#’’ $( A#!(;$’ =C/= +,U0)C= 0)P)C= !$$# CN1* ? +N98 ? 0LH ? 一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率 晶体管小信号物理模型! ）） ） ） ） ） ） ） ! ! 李 潇 刘 亮 张海英 尹军舰 李海鸥 叶甜春 龚 敏 !）（四川大学物理科学与技术学院，成都 #!$$#% ） ）（中国科学院微电子研究所，北京 !$$$ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$’ ! ! $$# !( 针对磷化铟（ ）复合沟道高电子迁移率晶体管（ ）的特点，对常规单沟道 的小信号物理模型进行 )*+ ,-./ ,-./ 了修正，提出了一种新的用于复合沟道 的小信号物理模型，用商用器件模拟软件 （ ,-./ )0- 1 89823:8 3*41*3351*4）对其进行了仿真验证，对比了实测和仿真的 特性及转移特性曲线，重点研究了在 双层沟 !; )*6=8 )*+ 道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势，研究结果表明，由于在沟道中存在量子效应， 在栅下靠源端低电场区域，电流主要分布在 沟道，而在靠漏端高电场区域，电流主要分布在 沟道，电流 )*6=8 )*+ 在 与 沟道中的分配比例随着栅压的变化而变化，从而验证了新模型的正确性 )*6=8 )*+ ? 关键词：高电子迁移率晶体管，复合沟道，物理模型，磷化铟 ： ， ， !## (@$- (A#$B #!@’ ［］ A 值能量（ ）比 （ ）高 ，所以