HM2106芯片数据手册V10特点描述应用领域.PDF

大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片 HM2106 芯片数据手册V1.0 特点  高端悬浮自举电源设计，耐压可达100V  内建死区控制电路  电源电压欠压关断输出  自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通  采用半桥达林顿管输出结构具有大电流栅极驱动能力  专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动  HIN 输入通道高电平有效，控制高端HO 输出  LIN 输入通道高电平有效，控制低端LO 输出  外围器件少  静态电流小：4.5mA  封装形式：SOP-8 描述 HM2106 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于 无刷电机控制器中的驱动电路。 HM2106 高端的工作电压可达 100V，Vcc 的电源电压范围宽11V～30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具 有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN 和LIN 内建了一个10K 下拉电阻，在输入悬空时使上、 下功率MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8 封装。 应用领域  电动摩托车控制器  变频水泵控制器  电动自行车控制器  无刷电机驱动器  100V 降压型开关电源  高压Class-D 类功放 Shenzhen HM Semiconductor Co.Ltd / 1 http：// 大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片 4. 引脚 4.1. 引脚定义 HO VSVB LO 8 7 6 5 HM2106 1 2 3 4 Vcc HIN LIN GND 图4-1. HM2106 管脚定义 4.2. 引脚描述 引脚序号 引脚名称 I/O 描述 芯片工作电源输入端，推荐工作电压典型值为12V-15V,外接一个高 1 Vcc Power 频0.1uF 旁路电容能降低芯片输入端的高频噪声 逻辑输入控制信号高电平有效，控制高端功率MOS 管的导通与截 止 2 HIN I “0”是关闭功率MOS 管 “1”是开启功率MOS 管 逻辑输入控制信号低电平有效，控制低端功率MOS 管的导通与截 止 3 LIN I “0”是关闭功率MOS 管 “1”是开启功率MOS 管 4