浅谈新一代存储技术_阻变存储器_王源.pdfVIP

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2017-07-07 发布于北京
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DOI ：10.13209/j.0479-8023.2011.080 北京大学学报 ( 自然科学版), 第 47 卷 , 第 3 期 , 2011 年 5 月　 Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis, Vol. 47, No. 3 (May 2011)　新一代存储技术: 阻变存储器 † 王源贾嵩甘学温北京大学微电子学研究院 , 教育部微电子器件与电路重点实验室 , 北京 100871; † E-mail: wangyuan@ 摘要阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点, 受到广泛的关注。作者论述了 RRAM 的基本结构和工作原理, 并介绍了三维集成和多值存储等 RRAM 新型技术。关键词不挥发性存储器 ; 阻变存储器; 电阻可逆转换; 三维集成; 多值存储中图分类号 TP333 Resistive RAM: A Novel Generation Memory Technology † WANG Yuan , JIA Song , GAN Xuewen Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871; † E-mail: wangyuan@ Abstract Resistive random access memory (RRAM) is extensively concerned because of its excellent characteristics, namely, simple cell structure, high speed, low power and high density. The basic structure and operation principle of RRAM are presented. The promising RRAM technologies, such as 3D integration and multi-level storage, are discussed. Key words nonvolatile memory; resistive random access memory; resistance reversible change; 3D integration; multi-level storage 过去几十年里集成电路技术得到突飞猛进的息[1−2] 。FeRAM 具有自极化特性, 当电场去掉后极发展, 以集成电路为核心的信息产业已经成为国民