第十章 半导体物理学(刘恩科)第七版_考题答案.pdfVIP

第三章习题和答案 19 -3 18 -3 7. ①在室温下，锗的有效态密度 N =1.0510 cm ，N =3.910 cm ，试求锗的 c V * * 载流子有效质量m m 。计算77K 时的N 和N 。已知300K 时，E =0.67eV。77k n p C V g 时 E =0.76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77K 时，锗的电子浓度 g 17 -3 为10 cm ，假定受主浓度为零，而E -E =0.01eV，求锗中施主浓度E 为多少？ c D D  k Tm 3 7（. 1）根据N c  2( 0 2n ) 2 2 k Tm 3 N v  2( 0 2p ) 2 得 2 2 2  2 N c 3 31 mn  k T  2   0.56m0  5.110 kg 0   1  22 N 2  3 31 m p   v   0.29m0  2.6 10 kg k T 2 0   （2）77K时的N 、N C V N（77K） T C  3 N（300K） T C 77 3 19 77 3 18 3 N  N  （ ）1.05 10  （ ）1.37 10 / cm C C 300 300 77 3 18 77 3 17 3 N  N  （ ） 3.9 10