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第34 卷 第9 期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.34 No.9
2015 年9 月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Sep. 2015
综 述
3D 硅基探测器研究现状
1,2,3 1,2 2 3
杨 君 ,殷华湘 ,贾云丛 ,李贞杰
(1. 中国科学院 微电子器件与集成技术重点实验室,北京 100029;2. 中国科学院微电子研究所 集成电路先导
工艺研发中心,北京 100029;3. 中国科学院大学,北京 100049)
摘要: 柱电极垂直穿通硅片衬底的 3D 探测器和传统平面硅基探测器相比,具有耐辐射性、快速响应、低耗尽
电压等优势,然而其器件结构、制备工艺以及系统集成上与传统结构不同,面临众多的技术挑战。近年许多机构对
3D 探测器开展了一系列的研究以简化其制备工艺实现工业化,本文系统性总结了 3D 硅基探测器的器件种类及特
点、标准制备工艺等关键技术方法与路线,并对相关器件的性能与关键影响因素作出了总结,最后简要指出了 3D
硅基探测器的技术改进方向。
关键词: 探测器;3D 硅基探测器;综述;辐射;单面工艺;双面工艺;影响因素
doi: 10.14106/ki.1001-2028.2015.09.001
中图分类号: O572.21+2 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 (2015 )09-0001-06
Research status of 3D silicon detectors
1,2,3 1,2 2 3
YANG Jun , YIN Huaxiang , JIA Yuncong , LI Zhenjie
(1. Key Laboratory of Microelectronics Devices Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese
Academy of Sciences (IMECAS), Beijing 100029, China; 2. The Integrated Circuit Advanced Process Center (ICAC),
IMECAS, Beijing 100029, China; 3. University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049, China)
Abstract: 3D-detectors, with electrodes penetrating through the entire substrates, have many advantages over planar
silicon sensors including radiation resistance, fast time-response and low depletion voltage. However 3D silicon detectors
are different from the conventional ones in device structure, fabrication process and system integration, which results in
masses of technological challeng
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