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2017-07-05 发布于河南
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JHW12N60C-W mos管、场效应管

N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JHW12N60 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 12 A ID 600 V VDSS 0.65Ω Rdson（@Vgs=10V） 39nC Qg 用途 APPLICATIONS 高频开关电源 High efficiency switch 电子镇流器 mode power supplies UPS 电源 Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS 产品特性 FEATURES 低栅极电荷 Low gate charge (典型值 23pF) 低 Crss Low Crss (typical 23pF ) 开关速度快 Fast switching 产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested 高抗 dv/dt 能力 Improved dv/dt capability RoHS 产品 RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE