有机溶剂热生长技术制备硫族化合物及其光学特性-影像科学与光化学.PDF

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2017-08-05 发布于天津
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有机溶剂热生长技术制备硫族化合物及其光学特性-影像科学与光化学

22 6 Vol.22 No.6 2004 11 Photographic Science and Photochemistry Nov., 2004 研究简报钟淮真, 何晓云, 李国强, 陈震 ( , 350007) : 以有机溶剂热生长技术 (solvothermal technique) 制备了半导体硫族化合物(CdSZnSMoS ) 等纳米颗粒,采用XR T EM 等技术对其结进行表征. 2 以ITO 导电玻璃以及导电聚合物(PANIPPY) 膜为基底, 将纳米颗粒涂布其上并以PL 法研究其光学特性, 实验结果表明: 经修饰后, 材料的荧光发射位置发生显著的变化. : 半导体; 纳米; 光学特性 : 1000-3231(2004) 06-0420-07 : TQ57 : A . [ 1] . 1. 1 , :MS MSe MTe . S 2 2 2 , . 1 Band gaps ( eV) of some metal chalcoginides Sulfide Band gaps/ eV Selenide Band gaps/ eV Telluride Band gaps/ eV S Se 1.72 Te 0. 33 ZnS 3. 54 ZnSe 2. 58 ZnTe 2. 26 CdS 2.42 CdSe 1.74 CdT e 1.44 Bi S 1. 3 Bi Se 0. 27 Bi T e 0. 13 2 3 2 3 2 3 MoS2 3.4 MoSe2 1. 13 MoTe2 0.71 : 2004-06-07; : 2004-07-19. :, E-mail: zc1224@ publ.fz.fj. cn. : (02H034) ; (JA02192,JA02189JB02177) . : ( 1981-) , , . 420 6 : 421 [ 2, 3] , , , , , . , [4] CdSIn S Sb S CoS SnS . 2 3 2 3 2 2 CdSZnSMoS2 , . 1 1. 1 :Cd (99.99%) (99. 99%) Zn (AR) S (99.9%) ; ( CP) (CP) . : ITO ; JEOL- 2000 EX ; Xpert pro ;RF-540 ; T- 40 . 1.2 ITO ,105 , . 1