新颖单晶生长核心设施计画.PDF

新穎單晶生長核心設施計畫 周明奇教授 Mitch M.C. Chou 國立中山大學材料與光電科學學系 OctoberOctober 1515, 1.計畫目標及願景 : 單晶材料一直是每個國家的重要戰略物資，同時也是發掘新 穎材料的重要途徑。由於單晶生長是一項曠日費時的研究工作 沒有沒有turnturn-keykey solutionsolution ，且不易發表論文且不易發表論文。因此過去台灣在單因此過去台灣在單 ， 晶材料的研究多仰賴國外提供的樣品，國內並無專門生長單晶 的研究機構的研究機構 。 我們的理念是希望國內的單晶生長自主化，不需仰賴國外研 究單位或公司。 我們的我們的願景願景是希望成為國際上最著名的單晶生長研究單位是希望成為國際上最著名的單晶生長研究單位 ， 提升台灣在各式新穎單晶研究領域的知名度。 2. 我們實驗室的優勢是能夠生長不同用途的晶體，並具備自行設計及組裝單 晶爐的能力。以目前的規劃，我們能夠生長以下晶體 :  III-V族(GaN 、InN AlN) 、II-VI族(ZnO)化合物半導體的單晶基板。  高溫超導及磁性材料的單晶基板。  雷射晶體。  非線性光學晶體非線性光學晶體。  壓電晶體。  閃爍晶體 :高物理及生醫科技。  非極性非極性(N(Nonpollar)) IInNN 、GGaNN及及ZZnOO單晶單晶 。 中山大學單晶新材料與分析核心設施的組織規畫圖 南部單晶生長核心設施南部單晶生長核心設施 SSciientifitific AdAdviisory BBoardd 氧化物 氟化物/ III-V族 II-VI族 分析 化合物半導體 化合物半導體 壓 閃 雷 學 光 超 單 析 身 A 究 研 基 電 爍 射 學 導 晶 量 特 d 礎 GaN ZnO-based v a 晶 晶 晶 晶 物 物 及 及 及 及 基 基 測 測 性 性 nn 物 物 AlN LED c 體 體 理 光 性 線 非 薄 性 磁 板 InN ZnMgO ， e 、 性 d — Cu:GaN ZnCoO 由 物 膜 膜 溫 高 溫 合 作 作 研 研 性 結 微 結 C C C C C H