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GaP_1_x_N_x混晶的光致发光谱pdf
第 24 卷第 5 期 半 导 体 学 报 . 24, . 5 V o l N o 2003 年 5 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ay, 2003 GaP1- x Nx 混晶的光致发光谱 1 1 1 2 2 3 3 高玉琳 吕毅军 郑健生 张 勇 辛火平 杜武青 A M ascarenhas ( 1 厦门大学物理系, 厦门 361005) (2 美国可再生能源实验室) (3 美国加利弗尼亚大学电机工程系) 摘要: 通过 GaP 1- xN x (x = 0 05%～ 31% ) 混晶的低温光致发光(PL ) 谱, 探讨了N 在不同组分 GaN x P 1- x 混晶的发 光特性中所起的作用. 在低组分(x = 0 05%～ 0 81% ) 下, GaN x P 1- x 的PL 谱由NN i 对及其声子伴线的发光组成; 在高组分(x ≥13% ) 下,NN i 对之间相互作用形成的与N 有关的杂质带导致了 GaN x P 1- x 混晶的带隙降低. 同时, 在 = 0 12% 的 中, 得到了清晰的 零声子线及其声子伴线, 从而直接证实了 具有与孤立 中 x GaN x P 1- x NN 3 NN 3 N 心完全相似的声子伴线. 关键词: GaPN 混晶; 等电子陷阱; 带隙弯曲; 光致发光谱 PACC: 7280E ; 7855E ; 7865K 中图分类号: O 472 3 文献标识码: A 文章编号: (2003) 对的能量位置相距较远, 其它 对随着 的增加, NN i i 1 引言 能量位置愈趋密集. 在[N ]～ 1016 cm - 3 范围, GaP ∶
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